講演名 2001/9/20
ESD回路シミュレーションのための保護素子の等価回路モデル
安西 浩美, 戸坂 義春, 鈴木 邦広, 野村 俊雄, 佐藤 成生, 岡 秀樹,
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抄録(和) 近年、ESD(ElectroStatic Discharge:静電気放電)保護回路のESD耐性の確保が困難になってきている。このため、ESD耐性を回路シミュレーションで予測をすることが重要になっている。本報告ではESD保護素子の変調ベース抵抗モデルを組み込んだ等価回路モデルを説明する。このモデルの導入によりESD耐性の指針となるスナップバック特性を精度良く表現できるようになった。
抄録(英) It is difficult to keep ESD (ElectroStatic Discharge) immunity of ESD protection devices. It is important to predict ESD immunity by circuit simulations. ESD protection devices have snapback characteristics that give a guide for ESD immunity. In this paper, we propose an equivalent circuit model which includes a modified base resistance model.
キーワード(和) ESD耐性 / スナップバック特性 / 等価回路モデル / 変調ベース抵抗モデル
キーワード(英) ESD immunity / snapback characteristic / equivalent circuit model / base resistance model
資料番号 VLD2001-68,SDM2001-142
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 2001/9/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ESD回路シミュレーションのための保護素子の等価回路モデル
サブタイトル(和)
タイトル(英) An Equivalent Circuit Model of ESD Protection Devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ESD耐性 / ESD immunity
キーワード(2)(和/英) スナップバック特性 / snapback characteristic
キーワード(3)(和/英) 等価回路モデル / equivalent circuit model
キーワード(4)(和/英) 変調ベース抵抗モデル / base resistance model
第 1 著者 氏名(和/英) 安西 浩美 / Hiromi Anzai
第 1 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 戸坂 義春 / Yoshiharu Tosaka
第 2 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 鈴木 邦広 / Kunihiro Suzuki
第 3 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 野村 俊雄 / Toshio Nomura
第 4 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
FUJITSU LIMITED
第 5 著者 氏名(和/英) 佐藤 成生 / Shigeo Satoh
第 5 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
FUJITSU LIMITED
第 6 著者 氏名(和/英) 岡 秀樹 / Hideki Oka
第 6 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
発表年月日 2001/9/20
資料番号 VLD2001-68,SDM2001-142
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 318
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日