講演名 2000/11/23
EBテスタを用いた論理ゲート遅延ばらつき測定手法の検討
李 翔, 小林 和淑, 小野寺 秀俊,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 製造プロセスの急激な微細化と共に、MOSFETの特性ばらつきによる歩留まり劣化は深刻な問題になっている。MOSFETの特性ばらつきを統計的にモデル化する技術が不可欠となり、特性ばらつきの高精度の抽出が望まれる。本稿では、電子ビーム(EB)テスタを用いて、論理ゲートの遅延特性を高精度に測定することにより、ゲートの特性ばらつき情報を抽出する手法を提案する。具体的には、インバータチェーンに対し、EBテスタを用いて各インバータの遅延時間を測定し、遅延のばらつきを求めてから、解析により信頼できる遅延ばらつき情報を提供する。このため、EBテスタにより高精度に遅延ばらつきを測定できるTEGチップを試作した。このTEGチップの測定により統計的な遅延情報が得られることが期待される。
抄録(英) With the improvement of fabrication technologies, the increased effect of fluctuation in MOSFET device characteristics become an important theme in designing CMOS integrated circuits. The modeling of MOSFET parameters considered with the fluctuation of device characteristics is required. Therefore, extremely accuracy of some information about fluctuation of device characteristics such as the range, Distribution etc. is required. In this paper, we discuss a possibility about the analysis of fluctuation of gate delay with using an EB tester.
キーワード(和) EBテスタ / ばらつき / 遅延時間 / 分布 / 誤差
キーワード(英) EB-tester / Fluctuation / Delay / Distribution / Error
資料番号 VLD2000-73 /ICD2000-130,FTS2000-38
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 2000/11/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) EBテスタを用いた論理ゲート遅延ばらつき測定手法の検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) An Investigation of Delay Fluctuation in Logic-Gate with using an EB-Tester
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) EBテスタ / EB-tester
キーワード(2)(和/英) ばらつき / Fluctuation
キーワード(3)(和/英) 遅延時間 / Delay
キーワード(4)(和/英) 分布 / Distribution
キーワード(5)(和/英) 誤差 / Error
第 1 著者 氏名(和/英) 李 翔 / Xiang Li
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学情報学研究科通信情報システム専攻
Garaduate School of Informatics, Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 小林 和淑 / kazutoshi Kobayashi
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学情報学研究科通信情報システム専攻
Garaduate School of Informatics, Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学情報学研究科通信情報システム専攻
Garaduate School of Informatics, Kyoto University
発表年月日 2000/11/23
資料番号 VLD2000-73 /ICD2000-130,FTS2000-38
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 473
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日