| 講演名 | 2000/9/14 VLSI配線におけるインダクタンス抽出方法の提案とそれを用いた回路評価 中島 祐介, 池田 誠, 浅田 邦博, |
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| 抄録(和) | 近年の集積システムのサイズの増大化や、動作周波数の上昇に伴いこれまでのRC回路シミュレーションにおける誤差の増大が懸念されている。これに伴って、近年誘導性の要素であるインダクタンスを考慮するという研究が行われてきているが、インダクタンスは既に確立した計算手法が提案されている抵抗やキャパシタンスと異なり、抽出のための計算コストが膨大となる。本稿では、このインダクタンスの抽出に関して、効率的に計算する方法を提案し、それを用いて簡単な回路シミュレーションを行い、インダクタンスの影響を見積もっている。 |
| 抄録(英) | Today VLSI technology is being improved dramatically. For example, now we have the larger system size and higher operating frequency. Those figures suggest to us that RC circuit simulation will suffer much more error than now. Because of these, we can see some paper which shows us the importance of the taking inductance into consideration when we take circuit simulation. But they found the extraction of inductance takes too much cost to extract it from the whole chip. In this paper we propose how to reduce computational cost of extracting inductance. We show the method and show some simulations with this method. |
| キーワード(和) | 集積回路 / インダクタンス / 抽出 / シミュレーション / 表皮効果 |
| キーワード(英) | VLSI / Inductance / Extraction / Simulation / Skin effect |
| 資料番号 | VLD2000-50,SDM2000-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2000/9/14(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | VLSI配線におけるインダクタンス抽出方法の提案とそれを用いた回路評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New Method of Extracting Inductance from VLSI Circuit and Simulation with This Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 集積回路 / VLSI |
| キーワード(2)（和/英） | インダクタンス / Inductance |
| キーワード(3)（和/英） | 抽出 / Extraction |
| キーワード(4)（和/英） | シミュレーション / Simulation |
| キーワード(5)（和/英） | 表皮効果 / Skin effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 祐介 / Y Nakashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電子工学専攻 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Department of Electronic Engineering, University of Tokyo VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 誠 / K Ikeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電子工学専攻 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Department of Electronic Engineering, University of Tokyo VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅田 邦博 / K Asada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電子工学専攻 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Department of Electronic Engineering, University of Tokyo VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2000/9/14 |
| 資料番号 | VLD2000-50,SDM2000-123 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 293 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |