| 講演名 | 2000/9/14 SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析 竹村 佳昭, 長田 健一, 柳生 正義, 山口 憲, 牛尾 二郎, 丸泉 琢也, |
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| 抄録(和) | SRAMセル中の全配線構造についてグリーン関数に基づく3次元容量解析を行った。ビア接続による平行配線容量増大や配線線長差がある場合のフリンジ効果、等の立体配線に伴う3次元効果を特定した。部分構造解析による詳細検討を行い、(1)平行配線の一方にビアが接続すると、容量は1.2-1.5倍に増大(2)平行配線の一方だけの短縮により、線間容量のフリンジ成分は相対的に増加(3)MOSゲート中心が、無限遠方から2コンタクトビア間中点に接続すると、コンタクトビアとの容量が4-8倍に増大、の結果を得た。本3次元容量解析が高速ULSI設計に有効な事を示す事が出来た。 |
| 抄録(英) | We analyzed capacitances between interconnect lines in an SRAM cell by employing Green's function theory. The results showed such 3D effects as capacitance increase by via connection and fringing effect in parallel lines of different lengths. Further calculations on decomposed structures showed;(1).Capacitances of parallel lines with vias were 1.2 to 1.5 times larger than that without vias. (2)Fringing component of parallel line capacitance relatively increased as one of the lines became short. (3) As the center of MOS gate approached from infinitely to the middle point of the contact vias, capacitance between the gate and vias increased to four to eight fold. We think our 3D analysis is useful in designing high-speed ULSIs. |
| キーワード(和) | SRAMセル / 配線容量 / グリーン関数法 / 3次元解析 / 3次元効果 |
| キーワード(英) | SRAM cell / interconnect capacitance / Green's function theory / 3D analysis |
| 資料番号 | VLD2000-48,SDM2000-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2000/9/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Three-dimensional Capacitance Analysis of an SRAM Cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAMセル / SRAM cell |
| キーワード(2)（和/英） | 配線容量 / interconnect capacitance |
| キーワード(3)（和/英） | グリーン関数法 / Green's function theory |
| キーワード(4)（和/英） | 3次元解析 / 3D analysis |
| キーワード(5)（和/英） | 3次元効果 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹村 佳昭 / Yoshiaki Takemura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長田 健一 / Ken-ichi Osada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柳生 正義 / Masayoshi Yagyu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 憲 / Ken Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牛尾 二郎 / Jiro Ushio |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 丸泉 琢也 / Takuya Maruizumi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 2000/9/14 |
| 資料番号 | VLD2000-48,SDM2000-121 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 293 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |