| 講演名 | 1999/8/27 SOI基板へのリンとボロンの拡散シミュレーション 内田 秀雄, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | SOI基板での不純物の拡散シミュレーションを行った。対拡散モデルによるシミュレーション結果が報告されている実験事実と一致することを確認した。次にシミュレーション条件を温度、拡散時間、雰囲気について変化させ、それらの条件での結果を予想した。SOI基板における拡散抑制は、拡散温度が低く拡散フロントが酸化膜界面に近いほど顕著である。窒素雰囲気におけるドライブイン拡散では、SOI基板とバルク基板との間では有意差が見られない。酸素雰囲気でのドライブイン拡散では、SOI基板で大きな拡散抑制が見られる。 |
| 抄録(英) | This paper reports simulation of impurity diffusion in slicon on insulator (SOI) structure. Simulation profiles based on the pair diffusion model are compared with experimental results. Diffusion profiles are simulated for various temperature, time and ambient. Retardation of diffusion in SOI atructure is large in a low temperature diffusion and near the Si/SiO 2 interface. For drive-in diffusion at nitrogen ambient, diffusion profiles are not different between bulk wafer and SOI structures. For drive-in diffusion in oxygen ambient, the retardation in the SOIs is large. |
| キーワード(和) | SOI基板 / シミュレーション / リン拡散 / ボロン拡散 / 対拡散モデル |
| キーワード(英) | SOI structure / simulation / phosphorus / boron / pair diffusion |
| 資料番号 | VLD99-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1999/8/27(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI基板へのリンとボロンの拡散シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of Phosphorus and Borono Diffusion in SOI Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI基板 / SOI structure |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(3)（和/英） | リン拡散 / phosphorus |
| キーワード(4)（和/英） | ボロン拡散 / boron |
| キーワード(5)（和/英） | 対拡散モデル / pair diffusion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内田 秀雄 / Hideo Uchida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 共同研究センター Center of Cooperative Research |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/8/27 |
| 資料番号 | VLD99-63 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |