| 講演名 | 1999/8/27 Siイオン注入ダメージによるAsの過渡増速拡散 金 良守, 夏 建新, 斎藤 朋也, 青木 丈典, 古田 善一, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
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| 抄録(和) | イオン注入後のアニール初期に見られる不純物原子の増速拡散(TED)が顕著に現われる低温(720, 820℃)において, As拡散と注入ダメージの相関性を調べた. As注入後にSiを注入することで結晶中の格子間Si原子濃度を増加させると, アニール初期において拡散が抑えられることがわかった. その後, アニール時間の経過とともにAsの拡散が増大した. このことから, Asと格子間シリコン原子のクラスタが形成されることがわかった. |
| 抄録(英) | The effects of low dose Si-implantation damage on As transient enhanced diffusion in Si has been investigated. Arsnic was implanted into p-type Cz-Si wafers, followed by preannealing to recrystallize the amorphous layer. Some of the wafers were additionally implanted with Si at a low dose. The As diffusion in the initial stage of annealing was suppressed by Si-implantation. The subsequent As diffusion was enhanced compared to that of Si-unimplanted wafers. This implies that As atoms and self-interstitials form clusters on Siimplantation or during initial stage of annealing. |
| キーワード(和) | ヒ素 / 過渡増速拡散 / 格子間シリコン原子 / {311}欠陥 / EOR転位ループ |
| キーワード(英) | Arsenic / Transient enhanced diffusion / Si-interstitial / {311}defect / EOR deslocation loop |
| 資料番号 | VLD99-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1999/8/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siイオン注入ダメージによるAsの過渡増速拡散 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | As Transient Enhanced Diffusion in Si by Selfimplantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヒ素 / Arsenic |
| キーワード(2)（和/英） | 過渡増速拡散 / Transient enhanced diffusion |
| キーワード(3)（和/英） | 格子間シリコン原子 / Si-interstitial |
| キーワード(4)（和/英） | {311}欠陥 / {311}defect |
| キーワード(5)（和/英） | EOR転位ループ / EOR deslocation loop |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金 良守 / Ryangsu Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 夏 建新 / Jianxin Xia |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斎藤 朋也 / Tomoya Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 丈典 / Takenori Aoki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古田 善一 / Yoshikazu Furuta |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 発表年月日 | 1999/8/27 |
| 資料番号 | VLD99-62 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |