講演名 | 1999/8/27 Siイオン注入ダメージによるAsの過渡増速拡散 金 良守, 夏 建新, 斎藤 朋也, 青木 丈典, 古田 善一, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
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抄録(和) | イオン注入後のアニール初期に見られる不純物原子の増速拡散(TED)が顕著に現われる低温(720, 820℃)において, As拡散と注入ダメージの相関性を調べた. As注入後にSiを注入することで結晶中の格子間Si原子濃度を増加させると, アニール初期において拡散が抑えられることがわかった. その後, アニール時間の経過とともにAsの拡散が増大した. このことから, Asと格子間シリコン原子のクラスタが形成されることがわかった. |
抄録(英) | The effects of low dose Si-implantation damage on As transient enhanced diffusion in Si has been investigated. Arsnic was implanted into p-type Cz-Si wafers, followed by preannealing to recrystallize the amorphous layer. Some of the wafers were additionally implanted with Si at a low dose. The As diffusion in the initial stage of annealing was suppressed by Si-implantation. The subsequent As diffusion was enhanced compared to that of Si-unimplanted wafers. This implies that As atoms and self-interstitials form clusters on Siimplantation or during initial stage of annealing. |
キーワード(和) | ヒ素 / 過渡増速拡散 / 格子間シリコン原子 / {311}欠陥 / EOR転位ループ |
キーワード(英) | Arsenic / Transient enhanced diffusion / Si-interstitial / {311}defect / EOR deslocation loop |
資料番号 | VLD99-62 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 1999/8/27(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Siイオン注入ダメージによるAsの過渡増速拡散 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | As Transient Enhanced Diffusion in Si by Selfimplantation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ヒ素 / Arsenic |
キーワード(2)(和/英) | 過渡増速拡散 / Transient enhanced diffusion |
キーワード(3)(和/英) | 格子間シリコン原子 / Si-interstitial |
キーワード(4)(和/英) | {311}欠陥 / {311}defect |
キーワード(5)(和/英) | EOR転位ループ / EOR deslocation loop |
第 1 著者 氏名(和/英) | 金 良守 / Ryangsu Kim |
第 1 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 夏 建新 / Jianxin Xia |
第 2 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 斎藤 朋也 / Tomoya Saito |
第 3 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 青木 丈典 / Takenori Aoki |
第 4 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 古田 善一 / Yoshikazu Furuta |
第 5 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura |
第 6 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi |
第 7 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
発表年月日 | 1999/8/27 |
資料番号 | VLD99-62 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 262 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |