講演名 1999/8/27
ドーパントパイルアップを考慮した簡易逆短チャネル効果モデルの検討
林 洋一, 三浦 規之, 小松原 弘穀, 福田 浩一,
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抄録(和) 本報告では、各々の不純物に対して1本の方程式を解く従来の拡散モデルを用いて、MOSFETのしきい電圧の逆短チャネル効果を再現できる簡易モデルについて述べる。本モデルは逆短チャネル効果の主要因がインプラダメージによって引き起こされるゲート端でのドーパントパイルアップである物理を反映している。また、本モデルを用いた実デバイス開発への応用についても報告する。計算時間はペア拡散モデルと比較して極端に短いため、本手法は複数回のシミュレーションの実行を必要とするモデルパラメータキャリブレーションやプロセス・デバイス・回路間の感度解析やプロセス最適化やプロセスバラツキ解析などのTCADの実際の利用に有効である。
抄録(英) We propose an effective model which can reproduce reverse short channel effect (RSCE) of threshold voltage (Vth) on MOSFET using a conventional process simulator which solves one equation for each impurity. The proposed model includes the physics in which RSCE is due to the pile up of channel dopant at Si/SiO2 surface. We also report the application to actual device design using our model. The calculation cost is much less than pair deffusion model, and the device design in acceptable turn around time is possible.
キーワード(和) 逆短チャネル効果 / 簡易モデル / ドーパントパイルアップ / しきい電圧
キーワード(英) RSCE / Simple Model / Dopant Pile Up / Threshold Voltage
資料番号 VLD99-61
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 1999/8/27(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ドーパントパイルアップを考慮した簡易逆短チャネル効果モデルの検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Simple Model for Reverse Short Channel Effect of Threshold Voltage on MOSFET
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 逆短チャネル効果 / RSCE
キーワード(2)(和/英) 簡易モデル / Simple Model
キーワード(3)(和/英) ドーパントパイルアップ / Dopant Pile Up
キーワード(4)(和/英) しきい電圧 / Threshold Voltage
第 1 著者 氏名(和/英) 林 洋一 / Hirokazu Hayashi
第 1 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
OKI Electric Industry Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 三浦 規之 / Noriyuki Miura
第 2 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
OKI Electric Industry Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 小松原 弘穀 / Hirotaka Komatsubara
第 3 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
OKI Electric Industry Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 福田 浩一 / Koichi Fukuda
第 4 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
OKI Electric Industry Co., Ltd.
発表年月日 1999/8/27
資料番号 VLD99-61
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 262
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日