| 講演名 | 1999/8/27 TCAD統合システムによるプロセス最適化 倉満 晶子, 大原 完治, 奥間 啓二, 小林 睦, 南 里江, 小田 嘉則, 黒田 敬司, |
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| 抄録(和) | 近年、半導体プロセスの微細化・高集積化に伴い、各種特性値の最適化やばらつき低減の要請がますます厳しくなっている。当社で開発したTCAD統合システムは、プロセス・デバイスシミュレータを中心とし、特に統計的解析機能の充実によって、効率よく最適化設計を行うものである。本システムは、操作性を重視したGUI中心のシステムであり、マルチプラットホーム化により社内LANでの利用をさらに効率化するとともに、CIMデータベースとの接続によるデータ入力工数削減なども実現している。このTCAD統合システムの適用例として、本稿では、ホットキャリア(HC)対策のためのシミュレーションについて挙げる。 |
| 抄録(英) | We have developed an integrated TCAD framework for TAT (Turn-Around-Time) reduction and optimization of VLSI process parameters. The integrated TCAD system is realized for efficient optimized process design due to the implementation of various statistical methodologies (DOE, ANOVA, RSM...) and robust optimization engine. This system is constructed by mainly GUI (Graphical User Interface) and can be used on multi-platform (EWS, PC) by using intra-net effectively, and is also connected with CIM data base system to suppress the data conversion procedure from run-sheets. Optimization of the Hot-Carrier characteristics has been presented as the example. |
| キーワード(和) | 実験計画法 / 逐次2次計画法 / 最適化 |
| キーワード(英) | Design of Experiments / Succecive quadratic Programming / Optimization |
| 資料番号 | VLD99-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1999/8/27(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCAD統合システムによるプロセス最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of TCAD framework for Process Optimization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 実験計画法 / Design of Experiments |
| キーワード(2)（和/英） | 逐次2次計画法 / Succecive quadratic Programming |
| キーワード(3)（和/英） | 最適化 / Optimization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 倉満 晶子 / Akiko Kuramitsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center Semikonductor Company, Matsushita Electronics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大原 完治 / Kanji Ohara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center Semikonductor Company, Matsushita Electronics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 奥間 啓二 / Keiji Okuma |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center Semikonductor Company, Matsushita Electronics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 睦 / Mutsumi Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center Semikonductor Company, Matsushita Electronics |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 南 里江 / Satoe Minami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center Semikonductor Company, Matsushita Electronics |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小田 嘉則 / Yoshinori Oda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center Semikonductor Company, Matsushita Electronics |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 黒田 敬司 / Keishi Kuroda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center Semikonductor Company, Matsushita Electronics |
| 発表年月日 | 1999/8/27 |
| 資料番号 | VLD99-60 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |