| 講演名 | 1999/8/27 MOSトランジスタのブレークダウン・スナップバック領域のマクロモデリング 渡辺 薫, 八木 浩行, 檀 良, |
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| 抄録(和) | ブレークダウン領域, スナップバック領域を含んだSPICEのマクロモデルを提案する. 評価のため, デバイスシミュレータの値にシミュレーション結果をフィッティングした. 結果として, 制御電源を並列させた簡単なマクロモデルを採用することによりブレークダウン現象の解析を実現した. さらに, シミュレーションの際にかかる時間もすくなくなることがわかった. このことからマクロモデルが有用であることを示した. |
| 抄録(英) | We propose a macromodel for the MOSFET, its breakdowm and snapback region. We used simulation data obtained by a rigorous device simulator for evaluation of all fitting parameters of the macromodel. It is found that breakdowm can analyze by using this simple macromodel with paralleled controlled source. In addition, it is found that simulation time become less. From the above we show that macromodel is useful. |
| キーワード(和) | ブレークダウン / マクロモデリング / スナップバック |
| キーワード(英) | breakdown / macromodeling / snapback |
| 資料番号 | VLD99-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1999/8/27(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSトランジスタのブレークダウン・スナップバック領域のマクロモデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Macromodeling of breakdown and snapback region in MOSRET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ブレークダウン / breakdown |
| キーワード(2)（和/英） | マクロモデリング / macromodeling |
| キーワード(3)（和/英） | スナップバック / snapback |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 薫 / Kaoru Wtanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 八木 浩行 / Hiroyuki Yagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 檀 良 / Ryo Dang |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 発表年月日 | 1999/8/27 |
| 資料番号 | VLD99-59 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |