| 講演名 | 1999/8/26 格子間シリコン原子拡散のバックグラウンド炭素濃度依存性 小林 弘幸, 金 良守, 夏 建新, 斎藤 朋也, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
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| 抄録(和) | シリコン中の炭素原子と格子間シリコン原子の関係を明らかにするために, 基板炭素濃度の異なるボロン超格子基板を用い過渡増速拡散(TED)に関する実験を行い, 格子間シリコン原子の有効拡散係数が炭素濃度の2乗に逆比例することを確認した。これは, 格子間シリコン原子と炭素原子2つからなる構造が大きな影響を与えているものと考えられる. そこで炭素原子2つを含む様々なシリコン原子モデルのエネルギーを第一原理計算を用いて計算し, 比較検討した. 計算結果から炭素クラスターによる格子間シリコン原子の拡散抑制の可能性を確認した. |
| 抄録(英) | In order to clarify the interaction between carbon and interstitial silicon atoms, we,investigate the transient enhanced deffusion of boron atoms in boron-doped superlattice wafers containing different carbon concentrations. We found that the effectibe diffusivith of interstitial silicon is in inverse proportion to the square of carbon concentration, which indicates the effects of the complex containing two carbon atoms. We perform abinitio calculations of the total energy of various configurations containing two carbon atoms; it is shown that the carbon cluster strongly suppress the effective diffusivity of interstitial silicon. |
| キーワード(和) | 炭素 / 格子間シリコン原子 / 第一原理 / ボロン / 過渡増速拡散 |
| キーワード(英) | Carbon / interstitial / ab-initio / boron / TED |
| 資料番号 | VLD99-51 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1999/8/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 格子間シリコン原子拡散のバックグラウンド炭素濃度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of self-interstitial diffusion due to carbon |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭素 / Carbon |
| キーワード(2)（和/英） | 格子間シリコン原子 / interstitial |
| キーワード(3)（和/英） | 第一原理 / ab-initio |
| キーワード(4)（和/英） | ボロン / boron |
| キーワード(5)（和/英） | 過渡増速拡散 / TED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 弘幸 / Hiroyuki Kobayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金 良守 / Ryangsu Kim |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 夏 建新 / Jianxin Xia |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 斎藤 朋也 / Tomoya Saito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yosinari Kamakura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka Univ. |
| 発表年月日 | 1999/8/26 |
| 資料番号 | VLD99-51 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 261 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |