| 講演名 | 1999/8/26 HDP-CVD形状シミュレーションのキャリブレーション手法 木下 繁, 川口 英一, 執行 直之, |
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| 抄録(和) | HDP-CVDによる層間絶縁膜の埋め込みプロセスをモチーフとして、形状シミュレーションのキャリブレーション手法を検討した。形状シミュレータはAvant!社製のTerrainを使用した。HDP-CVDモデルでは、Thermal Deposition, Ion Enhanced Deposition, Sputter Etching(by Ar+), Re-depositionの4つの現象が起きていると考え、それぞれの形状進行への寄与が7つのパラメータによって決められている。断面SEM写真、プラズマシミュレーション、文献等を用いて各パラメータのキャリブレーションを行った。 |
| 抄録(英) | This article proposes a calibration method for a topography simulation, especially for an inter-metal dielectric(IMD) step using HDP-CVD. Terrain of Abant! was used. For HDP-CVD, four phenomena such as thermal deposition, ion enhanced deposition,sputter etching by Ar+, Re-deposition were considered using seven model parameters. A proposed calibration method was based on experimental SEM data, plasma simulation and published papers. |
| キーワード(和) | TCAD / HDP-CVD / 層間絶縁膜 / 形状シミュレーション |
| キーワード(英) | TCAD / HDP-CVD / IMD / Topography simulation |
| 資料番号 | VLD99-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1999/8/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HDP-CVD形状シミュレーションのキャリブレーション手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Calibration method for HDP-CVD simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TCAD / TCAD |
| キーワード(2)（和/英） | HDP-CVD / HDP-CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 層間絶縁膜 / IMD |
| キーワード(4)（和/英） | 形状シミュレーション / Topography simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木下 繁 / S. Kinoshita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部 Microprocessor & Custom LSI Division, Toshiba Corporation, Semiconductor Company |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川口 英一 / H. Kawaguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部 Microprocessor & Custom LSI Division, Toshiba Corporation, Semiconductor Company |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 執行 直之 / N. Shigyo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部 Microprocessor & Custom LSI Division, Toshiba Corporation, Semiconductor Company |
| 発表年月日 | 1999/8/26 |
| 資料番号 | VLD99-48 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 261 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |