講演名 1999/8/26
極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
土屋 英昭, 三好 旦六,
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抄録(和) 近年の超LSIトランジスタの微細化に伴い, 量子効果を取り入れたデバイスシミュレーションがますます重要になってきている。これまで我々は, 多次元量子デバイスシミュレーションモデルとして, 古典的ボルツマン方程式の駆動力項にポテンシャル量子補正を付け加える形の新しい量子輸送モデルを提案してきた。本稿では, 上記量子輸送モデルを極微細MOSFETの量子輸送解析に適用し, トンネル効果や量子閉じ込め効果が及ぼす影響について検討した結果を報告する。
抄録(英) With downsizing of ULSI devices, it is indispensable to take quantum mechanical effects into account in device modeling. Recently, we have formulated a novel Boltzmann-type quantum transport equation based upon the Wigner distribution function. In this model, the quantum effects are represented in terms of quantum mechanically corrected potential in the classical Boltzmann equation. In this paper, we apply the quantum transport equation to static analysis of ultrasmall MOSFET's, and further investigate the influence of the quantum effects such as tunneling and quantum confinement effects.
キーワード(和) MOSFET / 量子効果 / ウイグナー分布関数 / ポテンシャル量子補正 / 量子モーメント方程式 / 密度勾配理論
キーワード(英) MOSFET / quantum effects / Wigner distribution function / quantum corrections of potential / quantum moment equation / density-gradient theory
資料番号 VLD99-44
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 1999/8/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
サブタイトル(和)
タイトル(英) Quantum Device Simulation of Ujtrasmalj MOSFET
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET
キーワード(2)(和/英) 量子効果 / quantum effects
キーワード(3)(和/英) ウイグナー分布関数 / Wigner distribution function
キーワード(4)(和/英) ポテンシャル量子補正 / quantum corrections of potential
キーワード(5)(和/英) 量子モーメント方程式 / quantum moment equation
キーワード(6)(和/英) 密度勾配理論 / density-gradient theory
第 1 著者 氏名(和/英) 土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya
第 1 著者 所属(和/英) 神戸大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University
第 2 著者 氏名(和/英) 三好 旦六 / Tanroku Miyoshi
第 2 著者 所属(和/英) 神戸大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University
発表年月日 1999/8/26
資料番号 VLD99-44
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 261
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日