| 講演名 | 1999/6/9 一様磁場中の二次元電子波に対するTLMモデル 津久井 陽司, 鈴木 正清, 真田 博交, 永井 信夫, |
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| 抄録(和) | 電子波を利用した新機能デバイスの研究が盛んに進められている. 目的とするデバイス特性を実現する種々の構造バラメー夕を得るためには, 時間域解析を含めた様々な検討が必要であると考えられる. 本報告では一様磁場中の二次元電子波の時間的な振る舞いを記述するためにTLM法を応用する試みを行なった. 有効質量近似Schrodinger方程式の微小区間等価回路表現を示し, その微小区間の等価回路からTLMモデルを導いた. また本モデルに基づいて波束の時間発展を計算し, 結果が解析解から得られる振る舞いに一致していることを確認した. |
| 抄録(英) | New devices using an electron wave have been extensively studied in recent yeats. Investigations by means of time-dependent calculations and so forth is important to decide potensial structures has diseired chracteristices. This paper presents a new method to simulate time evolution of an electron packet in a constant uniform magnetic field using a two-dimensional TLM model. It is derived from a equivalent circuit of the Schrodinger equation. A motion of a wave packet is in agreement with a theoretical motion. |
| キーワード(和) | TLM法 / 等価回路 / 一様磁場 |
| キーワード(英) | TLM method / equivalent circuit / constant uniform magnetic field |
| 資料番号 | VLD99-1 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1999/6/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 一様磁場中の二次元電子波に対するTLMモデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A TLM Model of Two-Dimensional Electron Wave in a Constant Uniform Magnetic Field |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TLM法 / TLM method |
| キーワード(2)（和/英） | 等価回路 / equivalent circuit |
| キーワード(3)（和/英） | 一様磁場 / constant uniform magnetic field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 津久井 陽司 / Yoji Tsukui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Reserch Institute for Electronic Science, Hokkaido Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 正清 / Masakiyo Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 真田 博交 / Hirofumi Sanada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 永井 信夫 / Nobuo Nagai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido Univ. |
| 発表年月日 | 1999/6/9 |
| 資料番号 | VLD99-1 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 106 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |