| 講演名 | 1998/10/23 擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案 大倉 康幸, 難波 光男, |
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| 抄録(和) | 長チャネルの特性評価のために、1次元プロセスシミュレータから不純物分布を読み取り、1次元のポアソン方程式を解いて得られるキャリア密度からMOSFETのドレイン電流をに計算するモデル式を導いた。ドリフト電流と拡散電流の両方を考慮することにより2次元デバイスシミュレータの結果と一致させることが出来た。 |
| 抄録(英) | A method is proposed to calculate the drain current of a long channel MOSFET from the one-dimensional Poisson result for a given one-demensional impurity profile. By including both the drift and diffusion current, the calculated results of our method agree those calculated by two-dimensional simulation. |
| キーワード(和) | デバイスシミュレーション / MOSFET / ドレイン電流 / サブスレッショルド特性 |
| キーワード(英) | Device Simulation / MOSFET / Drain current / Subthreshold Characteristics |
| 資料番号 | VLD98-98,ED98-123,SDM98-159,ICD98-229 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A proposal of a high-speed quasi-two dimensional method for MOSFET device simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | ドレイン電流 / Drain current |
| キーワード(4)（和/英） | サブスレッショルド特性 / Subthreshold Characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大倉 康幸 / Y. Ohkura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所半導体技術開発センタ Semiconductor Technology Development Center, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 難波 光男 / M. Nanba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所半導体技術開発センタ Semiconductor Technology Development Center, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-98,ED98-123,SDM98-159,ICD98-229 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |