| 講演名 | 1998/10/23 BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法 名野 隆夫, 菊地 修一, 岩津 勝彦, 西部 栄次, 鈴木 琢也, 佐々木 義智, 伊藤 和男, 小林 春夫, |
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| 抄録(和) | 本論文はBSIM3v3SPICEモデルによる、高耐圧MOSデバイスのモデル技術について報告する。標準のSPICEモデルは高耐圧MOSデバイスの電圧依存を持つR_d、R_sに対して高精度なモデルを提供しておらず、電圧-電流特性のシミュレーションと実測値との間に大きな差異を生じる。我々はオリジナルBSIM3v3のパラメータの一部に対して本来とは異なる物理的な意味合いを設定しR_d、R_sの電圧依存を表現する技法を考案した。本技法により得たパラメータによる、高耐圧MOSデバイスの電圧-電流特性のシミュレーションと実測値とは非常に良く一致する。提案モデル技法と高耐圧MOSデバイスの動作原理との関係についても検討を行った。 |
| 抄録(英) | This paper presents a new technique for modeling High-Voltage(HV)MOS devices accurately with the BSIM3v3 SPICE model. Standard SPICE models do not model the voltage dependency of R_s and R_d in HV MOS devices ; this causes large discrepancies between the simulated and measured I-V characteristics of HV MOS devices. We propose to assign physical meanings and values different from the original BSIM3v3 model to three of its parameters to represent the voltage dependency of R_s and R_d. With this method, we have succeeded in highly accurate parameter extraction and the simulated I-V characteristics of HV MOS divices using the extracted parameters match the measured results well. The relationship between the proposed modeling technique and the physical mechanism of HV MOS devices is also discussed based on measured and device simulation results. |
| キーワード(和) | 高耐圧 MOS / BSIM3 / SPICEモデル / モデリング |
| キーワード(英) | High-voltage MOS / BSIM3 / SPICE model / Modeling |
| 資料番号 | VLD98-97,ED98-122,SDM98-158,ICD98-228 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Voltage MOS Device Modeling with BSIM3v3 and its Parameter Extraction Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高耐圧 MOS / High-voltage MOS |
| キーワード(2)（和/英） | BSIM3 / BSIM3 |
| キーワード(3)（和/英） | SPICEモデル / SPICE model |
| キーワード(4)（和/英） | モデリング / Modeling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 名野 隆夫 / T. Myono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三洋電機MOS-LSI事業部 MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊地 修一 / S. Kikuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機MOS-LSI事業部 MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩津 勝彦 / K. Iwatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機MOS-LSI事業部 MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西部 栄次 / E. Nishibe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三洋電機MOS-LSI事業部 MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 琢也 / T. Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機MOS-LSI事業部 MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐々木 義智 / Y. Sasaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 群馬大学工学部 Gunma University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊藤 和男 / K. Itoh |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 群馬大学工学部 Gunma University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小林 春夫 / H. Kobayashi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 群馬大学工学部 Gunma University |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-97,ED98-122,SDM98-158,ICD98-228 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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