| 講演名 | 1998/10/23 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析 高橋 裕之, 国弘 和明, 大野 泰夫, |
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| 抄録(和) | GaAsデバイスではDCのI-V特性と高周波の特性が一致せず、回路設計を複雑にしている。これは、小信号で測定される周波数分散として良く知られている。今回、MESFET構造で印加信号の振幅を大きくすると、電流値が減少することを周期バイアス用デバイスシミュレータを用いて確認した。この現象は電子濃度の大幅に変化する大信号動作時に、基板中の深い準位の電子の捕獲速度が放出を上回り、過剰に負帯電することで説明でき、デジタル回路におけるマーク率効果と同じ原因である。 |
| 抄録(英) | It is well known that semi-insulating substrates cause Gds frequency dispersions in GaAs MESFETs, when they are measured with a small sinusoidal signal. However, more serious problem caused by substrate deep traps will be the shift of operation point at large signals. We analyzed this phenomenon with cyclic bias device simulator, which search for the steady states under cyclic biases. It is clarified that the shift is caused by the acceleration in electron capture rate at high drain biases, whereas the emission rate is independent on the drain bias. |
| キーワード(和) | デバイスシミュレータ / 動作点変動 / 周期バイアス / SRH統計 / MESFET |
| キーワード(英) | Device Simulator / Shift of Operation Point / Cyclic Bias / SRH Statistics / MESFET |
| 資料番号 | VLD98-96,ED98-121,SDM98-157,ICD98-227 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Numerical Simulation of GaAs MESFET on Semi-insulating Substrate under Large Signal Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイスシミュレータ / Device Simulator |
| キーワード(2)（和/英） | 動作点変動 / Shift of Operation Point |
| キーワード(3)（和/英） | 周期バイアス / Cyclic Bias |
| キーワード(4)（和/英） | SRH統計 / SRH Statistics |
| キーワード(5)（和/英） | MESFET / MESFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 裕之 / Yuji Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 国弘 和明 / Kazuaki Kunihiro |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-96,ED98-121,SDM98-157,ICD98-227 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |