| 講演名 | 1998/10/23 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性 北原 義之, 佐野 伸行, 名取 研二, 向井 幹雄, 松沢 一也, |
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| 抄録(和) | 極微細半導体デバイスにおける電流ゆらぎのデバイス・サイズ依存性を、モンテカルロ法を用いてシミュレーション解析した。素子の微細化に伴う電子の拡散的輸送から準弾導輸送への遷移により、極微細デバイス構造特有の新しいゆらぎのモードが顕在化することを見い出した。即ち、準弾導的にチャネル領域から注入された高エネルギー電子が、ドレイン・エッジにおいてフォノン散乱等によりチャネル領域にキック・バックされることによる電流ゆらぎが、サブ0.1ミクロン領域の電流ゆらぎにおいて支配的であることを見い出した。 |
| 抄録(英) | The current fluctuation is investigated under ultra-small device structures via Monte Carlo method. It is found that a new current noise mode characteristic to ultra-small devices appears, in which the transition of the diffusive to the quasi-ballistic electron transport occurs. This current noise is caused dominantly by the high-energy electrons in the drain edge which are injected quasi-ballistically from the channel and are "kicked-back"into the channel by scatterings. |
| キーワード(和) | 極微細デバイス / 電流ゆらぎ / 準弾導輸送 / モンテカルロ法 / ショット・ノイズ / 熱ゆらぎ |
| キーワード(英) | Ultra-small device structure / Current fluctuation / Quasi-ballistic transport / Monte Carlo / Shot-noise / Thermal-noise |
| 資料番号 | VLD98-93,ED98-118,SDM98-154,ICD98-224 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device-Size Dependence of Current Fluctuation Simulation under Ultra-Small Device Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極微細デバイス / Ultra-small device structure |
| キーワード(2)（和/英） | 電流ゆらぎ / Current fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | 準弾導輸送 / Quasi-ballistic transport |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo |
| キーワード(5)（和/英） | ショット・ノイズ / Shot-noise |
| キーワード(6)（和/英） | 熱ゆらぎ / Thermal-noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 北原 義之 / Yoshiyuki Kitahara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理工学系 Institute of Applied Physics University of Tsukuba |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐野 伸行 / Nobuyuki Sano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理工学系 Institute of Applied Physics University of Tsukuba |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 名取 研二 / Kenji Natori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理工学系 Institute of Applied Physics University of Tsukuba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 向井 幹雄 / Mikio Mukai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)半導体理工学研究センター(STARC) Semiconductor Technology Academic Research Center(STARC) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松沢 一也 / Kazuya Matsuzawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)半導体理工学研究センター(STARC) Semiconductor Technology Academic Research Center(STARC) |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-93,ED98-118,SDM98-154,ICD98-224 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |