| 講演名 | 1998/10/23 モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析II 深田 孝司, 仲里 昌朋, 神山 泰治, 谷野 憲之, |
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| 抄録(和) | 実空間上で2次元電子と3次元電子を同時に扱うことが可能なモンテカルロデバイスシミュレータを開発している。今回、HEMT構造中の2次元電子と3次元電子の分布を詳細に調べることにより、2次元電子ガラストランジスタと呼ばれているHEMTが実は3次元電子により動作している様子を明らかにした。さらに、本シミュレータにおいても2次元電子と3次元電子を区別するための一般的な方法として境界エネルギーを導入しているが、2次元電子と3次元電子の分配比は境界エネルギーに敏感であることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | We have been developing the Monte Carlo device simulator which can simulate both two-dimensional and three-dimensional electrons in real space. In this report, by investigating precisely the distribution of two-dimensional electrons and three-dimensional electrons, it was cleared that the HEMT, which was also called two-dimensional electron gas transistor, was operated by three-dimensional electrons in actual. Furthermore, it was cleared that the ratio of two and three dimensional electron density depends sensitively on the boundary energy of two and three dimensional electrons, of which boundary energy was introduced generally to distinguish two and three dimensional electrons. |
| キーワード(和) | 2次元電子ガス / HEMT / モンテカルロ法 / デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | Two-dimensional electron gas / HEMT / Monte Carlo simulation / Device simulation |
| 資料番号 | VLD98-92,ED98-117,SDM98-153,ICD98-223 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析II |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Self-Consistent Analysis of Two-Dimensional Electron Gas in HEMT structure using Monte Carlo Simulation II |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2次元電子ガス / Two-dimensional electron gas |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo simulation |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深田 孝司 / T. Fukada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士総合研究所解析技術第1部 Computational Engineering I, Fuji Research Institute Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 仲里 昌朋 / M. Nakazato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士総合研究所解析技術第1部 Computational Engineering I, Fuji Research Institute Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神山 泰治 / Y. Kohyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士総合研究所解析技術第1部 Computational Engineering I, Fuji Research Institute Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷野 憲之 / N. Tanino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光素子事業統括部 High Frequency and Optical Semiconductor Div..Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-92,ED98-117,SDM98-153,ICD98-223 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |