| 講演名 | 1998/10/23 TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討 木寺 真琴, 谷沢 元昭, 石川 清志, 西村 正, |
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| 抄録(和) | MOSデバイスの実効チャネル長を決定するパラメータΔLはデバイスのパフォーマンスを左右する大きな要因である.ΔLはプロセスモニタのE-Tデータ[5]としても用いられる.抵抗ベースの抽出法では外部抵抗がゲート電圧により変調されるため, ΔLはゲート電圧依存性をもつ.MOSデバイスの微細化に伴い, LDD構造などが採用されると, ますますΔLのゲート電圧依存性は大きくなる.容量ベースのΔL抽出法でもLDD構造では同じようにΔLはゲート電圧依存性をもつ.このため, 冶金学的なΔLのようにデバイスに対して一対一に対応するものを抽出することは難しい. 今回, ゲート電圧に依存したΔLの極大値を採用する手法を示した.この手法は抽出するゲート電圧を事前に決定する必要がなく抽出条件を一意に決定できるので, プロセスモニタに用いるΔLを抽出するのに有効である. |
| 抄録(英) | ΔL is the one of the main factors that decide the device's performance. the ΔL is used for E-T data[5]in the process monitor. The gate voltage modulates the extrinsic resistance, so the ΔL depends on the gate voltage. When the device is the LDD structure, the capacitance based method has dependence on the gate voltage. So it is difficult to extract device's own ΔL. This paper describes the method that adopts the maximum value in the ΔL-Vgs charcteristic as the ΔL. This method does not need to decide the gate voltage for the extraction point. So this method is effective to extract ΔL in the process monitoring. |
| キーワード(和) | 実効チャネル長 / パラメータ抽出 / プロセスモニタ / 回路シミュレーション |
| キーワード(英) | Effective Chanel Length / Parameter Extraction / Process Monitor / Circuit Simulation |
| 資料番号 | VLD98-91,ED98-116,SDM98-152,ICD98-222 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Examination of Validity of the Effective Chanel Length Extraction Method with TCAD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 実効チャネル長 / Effective Chanel Length |
| キーワード(2)（和/英） | パラメータ抽出 / Parameter Extraction |
| キーワード(3)（和/英） | プロセスモニタ / Process Monitor |
| キーワード(4)（和/英） | 回路シミュレーション / Circuit Simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木寺 真琴 / Makoto Kidera |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation ULSI Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷沢 元昭 / Motoaki Tanizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation ULSI Development Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 清志 / Kiyoshi Ishikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation ULSI Development Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西村 正 / TAdashi Nishimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation ULSI Development Center |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-91,ED98-116,SDM98-152,ICD98-222 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |