| 講演名 | 1998/10/23 SCM測定のシミュレーション解析 松沢 一也, 大脇 幸人, 中村 雅一, 青木 伸俊, 水島 一郎, |
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| 抄録(和) | nMOSFETの2次元不純物分布について、SCM(scanning capacitance microscopy)の精度を測定とプロセス/デバイス・シミュレーションによって検討した。SCM信号は、pn接合中のキャリアの空乏化、Si基板端のエッジ効果、ゲート電極の仕事関数によって変調される事を明らかにした。SCMは、少なくともsingle S/D拡散層の横方向と深さ方向の不純物分布の広がりを与えることを示す。 |
| 抄録(英) | The accuracy of SCM(scanning capacitance microscopy)in two-dimensional impurity profiling for an nMOSFET has been evaluated by measurements and process/device simulations. It is revealed that SCM signals could be modulated by the carrier depletion in the pn junction, an edge effect at the Si substrate edge, and the work function of the gate electrode. The SCM is shown to give the depth and lateral extent of impurity profile at least for the single source/drain diffusion layer. |
| キーワード(和) | SCM / シミュレーション |
| キーワード(英) | SCM / simulation |
| 資料番号 | VLD98-90,ED98-115,SDM98-151,ICD98-221 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SCM測定のシミュレーション解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation Analysis of SCM Measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SCM / SCM |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松沢 一也 / K Matsuzawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大脇 幸人 / Y Oowaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / M Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東レリサーチセンター表面科学研究部 Surface Science Laboratories, Toray Research Center, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 伸俊 / N Aoki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 水島 一郎 / I Mizushima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratories, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-90,ED98-115,SDM98-151,ICD98-221 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |