| 講演名 | 1998/10/23 SOI基板におけるリンの再分布モデル 石山 俊彦, 松本 聡, / 谷内 利明, |
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| 抄録(和) | アニール後のSOI基板中のリンの分布についてモデルを作成し、実験結果と比較した。アニール後のSOI基板中では、リンは上部Si層/SiO_2膜界面にパイルアップすることを考慮してモデルを作成した。提案したモデルによるシミュレーション結果は、SOI構造中のリン分布の実験結果をよく再現した。 |
| 抄録(英) | We studied phosphorus distribution in the SOI structure and proposed a phosphorus distribution model after anneal, that can explain pile-up in the SOI structure. Simulation results using the proposed model showed its usefulness in estimating the phsphorus concentrations in the SOI structure. |
| キーワード(和) | リン / パイルアップ / シミュレーション / 不純物分布 / 熱処理 |
| キーワード(英) | phosphorus / pile-up / simulation / dopant / anneal / profile |
| 資料番号 | VLD98-89,ED98-114,SDM98-150,ICD98-220 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI基板におけるリンの再分布モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A New Model of Phosphorus Distribution in the SOI Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リン / phosphorus |
| キーワード(2)（和/英） | パイルアップ / pile-up |
| キーワード(3)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物分布 / dopant |
| キーワード(5)（和/英） | 熱処理 / anneal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石山 俊彦 / T Ishiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 聡 / S Matsumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 谷内 利明 / T Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-89,ED98-114,SDM98-150,ICD98-220 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |