| 講演名 | 1998/10/23 SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション 家木 靖, 浅井 寛, 内田 秀雄, 市村 正也, 邵 春林, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | SOI基板での不純物拡散分布の測定法と拡散シミュレーションにおける各パラメータの検討を行った。まず、SIMS、SR法、4探針/陽極酸化法の3つの測定法で、不純物分布測定法の比較を行った。その中でSR法について拡がり抵抗値と、接合深さの関係を検討した。次に測定値とTSUPREM4によるシミュレーション結果との比較をすることにより、主要な拡散パラメータの値を以下のように決定した。格子間型拡散機構の割合f_ |
| 抄録(英) | This paper reports profile measurement methods of diffused impurity profile and simulation parameters of phosphorus diffusion in SOI substrates. At first, we compared three measurement methods(SIMS, Spreading resistance(SR), 4point probe/anodic oxidation). In SR method, we discuss the relationship between SR and junction depth. Using measured phosphorus diffusion profiles, the main diffusion parameters involved in the phosphorus-point defect pair diffusion model are determined as follows : f_ |
| キーワード(和) | SOI基板 / シミュレーション / 拡がり抵抗法 / 燐拡散 / 点欠陥 / 対拡散モデル |
| キーワード(英) | SOI / simulation / SR method / phosphorus diffusion / point defect / pair diffusion model |
| 資料番号 | VLD98-88,ED98-113,SDM98-149,ICD98-219 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Profile Measurement and Simulation of Impurity Diffusion in SOI Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI基板 / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 拡がり抵抗法 / SR method |
| キーワード(4)（和/英） | 燐拡散 / phosphorus diffusion |
| キーワード(5)（和/英） | 点欠陥 / point defect |
| キーワード(6)（和/英） | 対拡散モデル / pair diffusion model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 家木 靖 / Yasushi Ieki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅井 寛 / Hiroshi Asai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内田 秀雄 / Hideo Uchida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 邵 春林 / Chunlin Shao |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-88,ED98-113,SDM98-149,ICD98-219 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |