| 講演名 | 1998/10/23 サブクォータミクロンMOSFETシミュレーションのためのTCAD高精度化 西尾 修, 竹中 正浩, 大南 信之, 川村 昭男, 藤井 克正, |
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| 抄録(和) | サブクォータミクロンMOSFETの電気特性をTCADを用いて予測可能とするため、物理モデルの検討およびキャリブレーションを実施した。不純物クラスタリングのモデルを用いて高濃度不純物の拡散プロファイルのシミュレーションを高精度化するとともに、Si/酸化膜界面における点欠陥の再結合レートを検討し、不純物の界面へのパイルアップに起因する逆ショートチャネル効果についても高精度なシュミューレションを可能とした。 |
| 抄録(英) | In order to make TCAD predictable for sub quarter micron MOSFET, we studied physical models and calibrated their parameters. By using impurity clustering models(transient clustering and equilibrium clustering), simulation of high dose impurity diffusion agreed with SIMS measurement. Furthermore, we studied about recombination rates of point defects at Si/SiO_2 interface and pileup of impurity, and we got good agreement between simulation results and measurement data of reverse short channel effect. |
| キーワード(和) | TCAD / 不純物拡散 / 点欠陥 / クラスタリング / 再結合 / 逆ショートチャネル効果 |
| キーワード(英) | TCAD / impurity diffusion / point defects / clustering / recombination / reverse short channel effect |
| 資料番号 | VLD98-87,ED98-112,SDM98-148,ICD98-218 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サブクォータミクロンMOSFETシミュレーションのためのTCAD高精度化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Calibration of TCAD for sub quarter micron MOSFET simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TCAD / TCAD |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物拡散 / impurity diffusion |
| キーワード(3)（和/英） | 点欠陥 / point defects |
| キーワード(4)（和/英） | クラスタリング / clustering |
| キーワード(5)（和/英） | 再結合 / recombination |
| キーワード(6)（和/英） | 逆ショートチャネル効果 / reverse short channel effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西尾 修 / Osamu Nishio |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所 VLSI Development Laboratories, IC Group, Sharp Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹中 正浩 / Masahiro Takenaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所 VLSI Development Laboratories, IC Group, Sharp Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大南 信之 / Nobuyuki Ohminami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所 VLSI Development Laboratories, IC Group, Sharp Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川村 昭男 / Akio Kawamura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所 VLSI Development Laboratories, IC Group, Sharp Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤井 克正 / Katsumasa Fujii |
| 第 5 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所 VLSI Development Laboratories, IC Group, Sharp Corporation |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-87,ED98-112,SDM98-148,ICD98-218 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |