| 講演名 | 1998/10/23 点欠陥拡散モデルにおける統一パラメータの抽出手順の構築 坂本 浩則, 熊代 成孝, |
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| 抄録(和) | 点欠陥拡散モデルにおける汎用性のある統一パラメータの系統的かつ物理的根拠に基づいた抽出手順を構築した。パラメータとプロセス条件の感度に関するマトリクスを用いて、パラメータの抽出順序と抽出に用いるプロセス条件を決定した。パラメータは、その優先順位に従って4つのカテゴリに分類し、測定された1次元プロファイルを再現するように一つずつ抽出した。抽出したパラメータ値を用いた2次元シミュレーションにより電気特性を計算し、パラメータ値の実用性を検証した。 |
| 抄録(英) | A systematic and physically based method of extracting a unified parameter set for a point-defect diffusion model is proposed. A sensitivity matrix analysis is used to construct the sequence of the extraction and to select the data set to be fitted. The parameters were classified into four categories according to their extraction priorities, and were extracted one by one so that the simulation results should agree with the measured 1D profiles. Electrical characteristics of actual devices were calculated by using a 2D simulator, and it was shown that the extracted unified parameters can be applicable to various process conditions. |
| キーワード(和) | プロセスシミュレーション / 点欠陥拡散モデル / パラメータ抽出 / 統一パラメータ |
| キーワード(英) | Process simulation / Point-defect diffusion model / Parameter extraction / Unified parameter set |
| 資料番号 | VLD98-86,ED98-111,SDM98-147,ICD98-217 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/10/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 点欠陥拡散モデルにおける統一パラメータの抽出手順の構築 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Systematic and Physically Based Method of Extracting a Unified Parameter Set for a Point-Defect Diffusion Model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プロセスシミュレーション / Process simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 点欠陥拡散モデル / Point-defect diffusion model |
| キーワード(3)（和/英） | パラメータ抽出 / Parameter extraction |
| キーワード(4)（和/英） | 統一パラメータ / Unified parameter set |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂本 浩則 / Hironori Sakamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 熊代 成孝 / Shigetaka Kumashiro |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/10/23 |
| 資料番号 | VLD98-86,ED98-111,SDM98-147,ICD98-217 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |