講演名 | 1995/9/14 デバイス/回路シミュレータの結合 石川 清志, 園田 賢一郎, 永久 克己, 谷沢 元昭, 小谷 教彦, 三好 寛和, |
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抄録(和) | 注目すべきデバイスの動作解析を、回路中における実動作状況に近い条件で行うために、デバイスシミュレータと回路シミュレータを結合させた。nxn小行列の混在を許す一般疎行列ソルバーを開発することにより、デバイスの基本方程式(ポアッソン方程式、電流連続式、他)と回路の基本方程式(キルヒホッフの法則、デバイス解析モデル式)をFull Newton法で安定に計算可能とした。デバイス/回路混合系の解析は静電破壊(ESD)やリングオシレータの遅延に対するプロセス/デバイス構造の影響を見るのに重要である。ここではデバイス/回路シミュレータの結合方法とCMOSインバータのシミュレーション結果について述べる。 |
抄録(英) | In order to analyze critical devices in a real LSI circuit configration, we couple device and circuit simulators. Developing general sparse matrix solver that allows mixed n x n mini-matrices, we can solve device equations(Poisson's equation, current continuity equations, etc.) and circuit equation (Kirchhoff's law and analytical device model) stably in Full Newton method. Mixed level device and circuit simulation is important for anlyzing Electro-Static Dischrge, efeect of process/device structure on ring oscilattor and so on. In this paper we propose coupling algorithm for device and circuit simulators and simulation result of CMOS inrerter. |
キーワード(和) | デバイスシミュレータ / 回路シミュレータ / 外部回路網 / 一般疎行列ソルバー |
キーワード(英) | device simulator / circuit simulator / circuit/device mixed level / sparse matrix solver |
資料番号 | |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 1995/9/14(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | デバイス/回路シミュレータの結合 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Coupling of Device/Circuit Simulators |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | デバイスシミュレータ / device simulator |
キーワード(2)(和/英) | 回路シミュレータ / circuit simulator |
キーワード(3)(和/英) | 外部回路網 / circuit/device mixed level |
キーワード(4)(和/英) | 一般疎行列ソルバー / sparse matrix solver |
第 1 著者 氏名(和/英) | 石川 清志 / K. Ishikawa |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 園田 賢一郎 / K. Sonoda |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 永久 克己 / K. Eikyu |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 谷沢 元昭 / M. Tanizawa |
第 4 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 小谷 教彦 / N. Kotani |
第 5 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 三好 寛和 / H. Miyoshi |
第 6 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
発表年月日 | 1995/9/14 |
資料番号 | |
巻番号(vol) | vol.95 |
号番号(no) | 231 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |