| 講演名 | 1995/9/14 集積回路内の非均質媒体中の伝送線路における誘導性結合を考慮した雑音の評価 三堂 哲寿, 浅田 邦博, |
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| 抄録(和) | 集積回路中の長い相互接続配線におけるクロストークノイズを配線の誘導性結合を加味して評価する。長い伝送線路を高速に駆動することにより、信号の到達時間に比べて信号の立上り時間が小さくなってくると、相互接続配線は誘導性・容量性の性質を持った伝送線路としての扱いが必要になってくる。具体的な例として長さ1cmから数cm程度の線路を数+V/nsecで駆動する場合をとりあげ、線路間のみを低い誘電率の絶縁体を満たした不均質媒体中の線路に現れるパルスノイズの発生要因を示し、それが線路の長さ、信号の立ち上がり速度、媒質の不均一性の増加にともなって従来の容量性結合のみを考慮した結合ノイズの大きさを上回ることを示す。 |
| 抄録(英) | We estimate a value of crosstalk noise in VLSI Interconnections considering inductive coupling. It is necessary to treat long interconnections as lines with parasitic inductance and parasitic capacitance, when signal delay time of the line is much larger than signal raising time. We tried to estimate crosstalk noise of several cm interconnections as an example. We found out pulse noise only on the condition that the lines are in heterogeneous insulators - Lower dielectric materials are in the gaps of lines -. And on the condition that lines become longer, the signal raising time becomes faster and dielectric constant of materials in the gaps on lines becomes smaller, the pulse noise becomes predominant noise factor. |
| キーワード(和) | クロストークノイズ / 相互接続配線 / 誘導性結合 / 容量性結合 / 不均質媒体 |
| キーワード(英) | Crosstalk Noise / VLSI Interconnections / Inductive Coupling / Capacitive Coupling / Heterogeneous Insulators |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1995/9/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 集積回路内の非均質媒体中の伝送線路における誘導性結合を考慮した雑音の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crosstalk Noise Considering Inductive Coupling in VLSI Interconnections in Heterogeneous Insulators |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | クロストークノイズ / Crosstalk Noise |
| キーワード(2)（和/英） | 相互接続配線 / VLSI Interconnections |
| キーワード(3)（和/英） | 誘導性結合 / Inductive Coupling |
| キーワード(4)（和/英） | 容量性結合 / Capacitive Coupling |
| キーワード(5)（和/英） | 不均質媒体 / Heterogeneous Insulators |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三堂 哲寿 / T. Mido |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅田 邦博 / K. Asada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1995/9/14 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |