| 講演名 | 1995/9/14 デバイスシミュレーションのための陽解法の改良 倉田 衛, 中村 慎, |
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| 抄録(和) | '92年に筆者等が発表したデバイスシミュレーションのための陽解法は従来の陰解法と比較してアルゴリズムが簡単、収束範囲が広い、および並列計算に最適、などの特徴をもち、基本変量の選択、変量更新式の選択等により幾つかのバージョンを作ることができる。今回この陽解法を新たに発展させ、各種の改良案を検討した。すなわち誤差伝播行列の固有値の計算結果を基に解の外挿という改良案を示した他、異種バージョンを組合せた多数の計算例を通じてスピードアップの可能性を探索した。これらに加えて一般的なプログラムのtune-upを実行した結果、既報発表当時の陽解法と比較して7.55倍のスピードアップを実現した。 |
| 抄録(英) | Explicit methods for the device simulation published by the authors in '92 are characterized by simple algorithms, numerical robustness, and suitability for the parallel processings, having possibility of various versions depending on the choice for the fundamental variables and update formulas. This report describes improvements achieved by an extrapolation technique based on considerations for the error-propagation matrix eigenvalues, by combination of different versions, and by general tune-up procedures for the program coding. An overall speed-up of factor 7.55 has been achieved compared with our explicit methods in the past. |
| キーワード(和) | デバイスシミュレーション / 陽解法 / 誤差伝播行列 / 固有値 |
| キーワード(英) | Device simulation / Explicit Methods / Error-propagation matrix / Eigenvalues |
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| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1995/9/14(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | デバイスシミュレーションのための陽解法の改良 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improved Explicit Methods for the Device Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 陽解法 / Explicit Methods |
| キーワード(3)（和/英） | 誤差伝播行列 / Error-propagation matrix |
| キーワード(4)（和/英） | 固有値 / Eigenvalues |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 倉田 衛 / Mamoru Kurata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝リサーチ TRCC |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 慎 / Shin Nakamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター[EIS] Toshiba R&D Center [EIS] |
| 発表年月日 | 1995/9/14 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |