講演名 | 1995/9/14 表面準位を考慮したGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション 山田 富子, 佐藤 勝彦, 堀尾 和重, |
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抄録(和) | GaAs MESFETの電流電圧特性やターンオン特性に与える表面準位の影響を2次元シミュレーションにより調べた。これらの特性は本質的に深いアクセプタ型の準位により決定づけられた。この準位が電子トラップとして働くか正孔トラップとして働くかによりターンオン特性が劇的に変化した。この準位に起因する遅いトランジェント(ゲートラグ)の要因について詳しく検討すると共に、その軽減策についても述べた。 |
抄録(英) | Effects of surface states on I-V curves and turn-on characteristics in GaAs MESFETs are studied by 2-D simulation. These characteristics are essentially determined by deep-acceptor-like state. Depending on whether it acts as an electron trap or a hole trap, the turn-on characteristics change drastically. Physical mechanism of the slow transients due to surface states is discussed in detail, and a way to eliminate the gate-lag is also described. |
キーワード(和) | GaAs MESFET / 表面準位 / デバイスシミュレーション / ゲートラグ / 正孔トラップ |
キーワード(英) | GaAs MESFET / surface state / device simulation / gate lag / hole trap |
資料番号 | |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 1995/9/14(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 表面準位を考慮したGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Two-Dimensional DC and Transient Simulation of GaAs MESFET Considering Surface-State Effect |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaAs MESFET / GaAs MESFET |
キーワード(2)(和/英) | 表面準位 / surface state |
キーワード(3)(和/英) | デバイスシミュレーション / device simulation |
キーワード(4)(和/英) | ゲートラグ / gate lag |
キーワード(5)(和/英) | 正孔トラップ / hole trap |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山田 富子 / T. Yamada |
第 1 著者 所属(和/英) | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 佐藤 勝彦 / K. Satoh |
第 2 著者 所属(和/英) | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 堀尾 和重 / K. Horio |
第 3 著者 所属(和/英) | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
発表年月日 | 1995/9/14 |
資料番号 | |
巻番号(vol) | vol.95 |
号番号(no) | 231 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |