| 講演名 | 1995/9/14 SOIMOSFETの基板浮遊効果に及ぼすキャリア消滅の影響についての解析 黄 俐昭, 松本 比呂志, |
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| 抄録(和) | SOIMOSFETの基板浮遊効果に対して、キャリアの拡散及び再結合が及ぼす影響について二次元デバイスシミュレータにより解析した。通常構造のSOIMOSFETにおいては、サブスレッショルド領域では主に再結合が正孔の消滅を支配しており、ソースへの拡散は少ない。このような場合には、サブスレッショルド領域では、SOI層中の正孔濃度はゲート電圧の上昇とともに増加し、しきい値付近で基板浮遊効果が発生しやすくなると考えられる。ソース電極にナローギャップ材料を用いた場合、拡散電流が再結合電流を上回るまでに増加し、正孔の排除を促進する。この効果は完全空乏化型素子には、サブスレッショルド領域で顕著である。また、全バイアス領域で同様の効果が得られる部分空乏化型素子に関するシミュレーション結果についても示した。 |
| 抄録(英) | The influence of the carrier extinction on the SOIMOSFET floating body effect is analyzed using device simulator. It is found that the carrier diffusion is small and that the carrier recombination dominates the extinction of the hole, in the subthreshold region. In this condition, since the hole concentration in the SOI layer increases as the gate voltage increases, the floating body effect is easy to occur around the threshold voltage. When the narrow gap material is applied for the source electrode, the diffusion current increases and exceeds the recombination current, consequently the hole concentration decreases. For the fully depleted SOIMOSFET, this effect is found to be efficient in the subthreshold region. We also report a partially depleted SOIMOSFET where this effect is efficient for the whole bias region. |
| キーワード(和) | SOI / MOSFET / 基板浮遊効果 / 拡散 / 再結合 / Ge |
| キーワード(英) | SOI / MOSFET / Floating body effect / diffusion / recombination / Ge |
| 資料番号 | |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1995/9/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOIMOSFETの基板浮遊効果に及ぼすキャリア消滅の影響についての解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis on the Influence of the Carrier Extinction for the SOIMOSFET Floating Body Effect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 基板浮遊効果 / Floating body effect |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散 / diffusion |
| キーワード(5)（和/英） | 再結合 / recombination |
| キーワード(6)（和/英） | Ge / Ge |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黄 俐昭 / Risho Koh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECマイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Labs., NEC Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 比呂志 / Hiroshi Matsumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECマイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Labs., NEC Corp. |
| 発表年月日 | 1995/9/14 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |