| 講演名 | 1995/9/14 ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出 青山 一生, 田沢 聰, 富沢 雅彰, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | MOSFETの閾値電圧を抽出する方法としてSDLM法を提案する。SDLM法とはドレイン電流の対数値の2階差分値が最小になるゲート電圧を閾値電圧として抽出する方法である。デバイスシミュレーションによりLDD-NMOSFETとBuried channel PMOSFETの電流電圧特性を計算し、従来方法により抽出された閾値電圧とSDLM法により抽出された閾値電圧の比較を行い、SDLM法の有効性を明確にした。更に、SDLM法により抽出される閾値電圧はチャネル内平均拡散電流と平均ドリフト電流の差が最大になるゲート電圧にほぼ一致し、この電圧は両成分が等しくなるゲート電圧よりも小さいことを示した。また、実デバイスにもこの方法が適用できることを示した。 |
| 抄録(英) | This paper presents a new method for extracting the threshold voltage of MOSFETs : the second difference of the logarithm of the drain current minimum (SDLM). The threshold voltage extracted by this method is the gate voltage at which the second difference of the logarithm of the drain current takes a minimum value. Using drain current characteristics from device simulation for an LDD-NMOSFET and a buried channel PMOSFET, we compare threshold voltage characteristics with the SDLM method and the previous methods and show that SDLM has several advantages. To clarify the physical background of the threshold voltage obtained by SDLM, we calculated the average diffusion component and average drift component in a channel. The threshold voltage is the gate voltage at which the difference between these components takes a maximum value ; it is a little lower than the gate voltage at which both components are equal. We also apply SDLM to a real device and show that the threshold voltage can be extracted efficiently. |
| キーワード(和) | 閾値電圧 / MOSFET / パラメータ抽出 / コンパクトモデル / SDLM法 |
| キーワード(英) | threshold voltage / MOSFET / parameter extraction / compact model / SDLM method |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
|---|---|
| 開催期間 | 1995/9/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Method for Extracting the Threshold Voltage of MOSFETs Based on Drain Current Components |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 閾値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | パラメータ抽出 / parameter extraction |
| キーワード(4)（和/英） | コンパクトモデル / compact model |
| キーワード(5)（和/英） | SDLM法 / SDLM method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青山 一生 / Kazuo Aoyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田沢 聰 / Satoshi Tazawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 富沢 雅彰 / Masaaki Tomizawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 発表年月日 | 1995/9/14 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |