| 講演名 | 1995/9/14 Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析 大倉 康幸, 木村 紳一郎, 井原 茂男, |
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| 抄録(和) | 微細化に伴いMOSFETでは、不純物濃度を高くすることにより短チャネル効果を抑制することが行われている。このため、不純物散乱による移動度低下が予想される。本報告では、従来の反転層電荷による遮蔽効果に加えて、ゲート電極及び空乏層端に誘起される鏡像電荷による遮蔽効果を新たに取り入れて、キャリア濃度の低いしきい値電圧付近でのキャリアの表面移動度の不純物散乱による低下と、そのしきい値電圧への影響を評価した。しきい値電圧付近では、鏡像電荷による遮蔽効果により、従来予想されていた結果よりも不純物散乱が抑えられることを示した。また、現在通常使われているデバイスでも、不純物散乱のためにしきい値電圧が従来の値より数十mV程度高い値にシフトすることがわかった。 |
| 抄録(英) | Since the impurity concentration increases as the device sizes is reduced, it is important to understand the impurity scattering to accurately predict transport mechanisms of carriers. In this paper, the surface mobility in the subthreshold region of Si MOSFETs where carrier density is very low is investigated including the mirror charges induced both at the interface of the gate electrode and at the edge of the depletion layer. The surface mobility decreases with the carrier density, but this decrease is found to be suppressed by the screening of the mirror charges. The upward shift of the threshold voltage due to impurity scattering is as large as several ten mV in the present devices. |
| キーワード(和) | MOSFET / 表面移動度 / 不純物散乱 / しきい値電圧 |
| キーワード(英) | MOSFET / surface mobility / impurity scattering / threshold voltage |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1995/9/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of the screening and mirror charges on electron mobility in the subthreshold region of Si MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 表面移動度 / surface mobility |
| キーワード(3)（和/英） | 不純物散乱 / impurity scattering |
| キーワード(4)（和/英） | しきい値電圧 / threshold voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大倉 康幸 / Y. Ohkura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木村 紳一郎 / S. Kimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井原 茂男 / S. Ihara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/9/14 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |