| 講演名 | 1998/3/6 ASICおよびMPU開発のTCAD/DA 増田 弘生, 佐藤 久子, 常野 克己, 森 和孝, |
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| 抄録(和) | 微細化にともないプロセスは複雑化し、従来の延長上の技術開発では高性能LSI(MPU/ASIC)開発は困難になりつつある。その原因の1つはプロセスバラツキにより生じるしきい電圧(Vth)、ドレイン電流(Ids)の等の回路性能を決定するデバイス特性、およびチップ性能を律則しはじめた配線ディレイのバラツキがプロセス、デバイスの微細化にたいして相対的に大きくなってくる可能性があることである。更にMPU/ASIC開発においてもDRAMと同様プロセスと回路・チップ設計をコンカレントに行わざるを得ない状況になってきたということにある。本論文はこのような状況に対して従来広くMPU/ASIC設計開発手法として採用されてきたDAトップダウン設計手法と、サブミクロンプロセス開発に力を発揮しはじめたTCAD(Technology CAD)とを相補的に組み合わせ、新しい設計環境および設計手法として提起するものである。すなわち、最新のプロセス開発をともなったMPUおよびASICの設計開発(生産)という課題に対して、プロセス仕様に対応する特性ばらつきを含めたチップ(回路)性能の相関をTCAD/DAにより短いTAT(Turn Around Time)で定量化するシステムを提供することである。 |
| 抄録(英) | We have proposed, in this paper a, TCAD/DA methodology for MPU and ASIC with updated processes and devises, which allow a predictive chip-design with quick quantitative correlation studies between process-recipe and CKT & delay parameters required in DA works.Effects of statistical process variation on 0.35um CMOS have been rigorously characterized with a new global TCAD calibration technique.Based on the data, process variation effcts on a 0.25um CMOS have been predicted, which is concluded that the Vth and Ids total-variation of the 0.25um CMOS shows less than 10% in production process, which is similar with that of the 0.35um CMOS. |
| キーワード(和) | 半導体プロセス・デバイス / シミュレーション / コンカレント設計 |
| キーワード(英) | Technology-CAD / Design Automation / ASIC / Concurrent Design |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1998/3/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ASICおよびMPU開発のTCAD/DA |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | TCAD/DA for ASIC and MPU Development |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体プロセス・デバイス / Technology-CAD |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / Design Automation |
| キーワード(3)（和/英） | コンカレント設計 / ASIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 弘生 / Hiroo Masuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立制作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 久子 / Hisako Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立制作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 常野 克己 / Katsumi Tsuneno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立制作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森 和孝 / Kazutaka Mori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立制作所 Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/3/6 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 577 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |