| 講演名 | 1997/9/26 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析 高橋 裕之, 国弘 和明, 大野 泰夫, |
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| 抄録(和) | 周期バイアスに対する定常解を求めるための2次元デバイスシミュレータを開発した. このシミュレータを用いることにより, 通常のデバイス評価に用いられる周期バイアス印加時の定常解を計算することが可能となった. このシミュレータを用いて, GaAs HJFETをパルス動作させた場合におけるマーク率変化による特性の変動を調べた. Lowレベル, Highレベルの電流値が, マーク率に対して変化することが確認できた. また, ドレイン電流値はマーク率に対し非線形に変化すること, 及び, 入力パルスの振幅の増加とともに非線形性が増大することが判った. この変化はトラップに対するSRH統計モデルで説明ができる. |
| 抄録(英) | A two-dimensional device simulator for analyzing the steady-state of devices under cyclic bias application has been developed. With this simulator, we can simulate the steady state under the cyclic bias, which is used in normal device evaluation. Application of the simulator to the pulse-pattern effect of a GaAs HJFET showed that the low- and high-level drain currents varied with the mark ratio. These variations showed a non-linearity that became more significant as the pulse-amplitude increased. Thdse variations can be explained by SRH statistics model for the deep-level traps. |
| キーワード(和) | デバイスシミュレータ / マーク率効果 / 周期バイアス / SRH統計 / HJFET |
| キーワード(英) | Device Simulator / Mark ratio Effect / Cyclic Bias / SRH statistics / HJFET |
| 資料番号 | VLD97-63,ED97-101,SDM97-122,ICD97-138 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of GaAs HJFET Mark Ratio Effect with Device Simulator for Cyclic Bias Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイスシミュレータ / Device Simulator |
| キーワード(2)（和/英） | マーク率効果 / Mark ratio Effect |
| キーワード(3)（和/英） | 周期バイアス / Cyclic Bias |
| キーワード(4)（和/英） | SRH統計 / SRH statistics |
| キーワード(5)（和/英） | HJFET / HJFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 裕之 / Yuji Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Opto Electronics and High Frequency Device Research Lab., NEC Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 国弘 和明 / Kazuaki Kunihiro |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Opto Electronics and High Frequency Device Research Lab., NEC Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Opto Electronics and High Frequency Device Research Lab., NEC Corp. |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | VLD97-63,ED97-101,SDM97-122,ICD97-138 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |