| 講演名 | 1997/9/26 Sパラメータ測定とデバイス物理モデルによるGaAs MESFETの低周波数分散現象の解析 市川 博一, 徳升 一也, 近藤 博司, |
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| 抄録(和) | インプランテーシヨン法によりチャネル層を形成したGaAsMESFETについて, ドレイン電流の低周波数分散現象のメカニズム, 起因を知るために以下の測定と計算をおこなった. (a)ドレイン電流とSパラメータの周波数・時間分散測定 (b)GaAs MESFET回路モデルにおける回路定数の時間分散計算 さらにドレイン電流と回路定数の時間分散の相関関係をショックレーモデルを用いて考察した. その結果, 低周波数分散現象の起因として (1)ゲート電極とチャネルとの界面に存在する界面準位, (2)チャネル内に存在する深い準位の二つが考えられる事がわかった. |
| 抄録(英) | We have done the following to investigate the mechanism and origin of low-frequency dispersion of drain current of GaAs MESFET which is fabricated by ion-implantation method (a)measuring the frequency and time dispersion characteristics of drain current and S-parameters (b)calculating time dispersion of FET's circuit elements Having examined the correlation of time dispersion characteristics between drain current and circuit elements by using the Shockley model, we cocluded that two origins of low-frequency dispersive effects are dominant. Those are (1)Deep level that exists in the Gate/Channel interface and (2)Deep level that exists in the Channel. |
| キーワード(和) | 低周波数分散現象 / ゲート/ドレインラグ / GaAs MESFET / イオンインプランテーション / Sパラメータ / ショックレーモデル |
| キーワード(英) | low-frequency dispersive effects / Gate/Drain lag / GaAS MESFET / ion-implantation / S-parameter / Shockley model |
| 資料番号 | VLD97-62,ED97-100,SDM97-121,ICD97-137 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Sパラメータ測定とデバイス物理モデルによるGaAs MESFETの低周波数分散現象の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Low-Frequency Dispersive Effects by Measuring S-paremeter and Using Physical FET Model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低周波数分散現象 / low-frequency dispersive effects |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート/ドレインラグ / Gate/Drain lag |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs MESFET / GaAS MESFET |
| キーワード(4)（和/英） | イオンインプランテーション / ion-implantation |
| キーワード(5)（和/英） | Sパラメータ / S-parameter |
| キーワード(6)（和/英） | ショックレーモデル / Shockley model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市川 博一 / Hirokazu Ichikawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd. Central Research Lab. Communication Systems Research Department |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳升 一也 / Kazuya Tokumasu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd. Central Research Lab. Communication Systems Research Department |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 近藤 博司 / Hiroshi Kondoh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd. Central Research Lab. Communication Systems Research Department |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | VLD97-62,ED97-100,SDM97-121,ICD97-137 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 11 |
| 発行日 | |