| 講演名 | 1997/9/26 モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析 深田 孝司, 谷野 憲之, 仲里 昌明, 神山 泰治, |
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| 抄録(和) | 実空間上でSchrodinger方程式とPoisson方程式をself-consistentに解くことが可能なモンテカルロデバイスシミュレータを開発した. 2次元電子と3次元電子の両方を散乱を含め統一的に扱い, 2次元電子については全てのバレーとそのサブバンドを取り扱うことができる. 波動関数計算用に新たに細かいメッシュを導入して, 精度の向上を図った. 本シミュレータをHEMT(AlGaAs/InGaAs/GaAs)に適用した結果, Schrodinger方程式とPoisson方程式の連成計算が正しく収束し, 期待通りチャネル内の2次元電子が3次元電子へ移行することを確認した. |
| 抄録(英) | We have developed the Monte Carlo device simulator which can solve Schrodinger and Poisson equations self-consistently in real space. Both two-dimensional and three-dimensional electrons can be simulated by using the same algorithm including scattering. For two-dimensional electrons, all valleys and those subband energy are taken into account. The wave functions can be accurately calculated by adopting extra fine mesh. By using HEMT(AlGaAs/InGaAs/GaAs) as a demonstration, it was confirmed that the simultanous calculation of Schrodinger equation and Poisson equation converged correctly and it was observed that two-dimensional electrons in channel transfered to three-dimensional electrons as an expectation. |
| キーワード(和) | 2次元電子ガス / self-consistency / HEMT / モンテカルロ法 / デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | Two-dimensional electron gas / self-consistency / HEMT / Monte Carlo simulation / Device simulation |
| 資料番号 | VLD97-59,ED97-97,SDM97-118,ICD97-134 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Self-Consistent Analysis of Two-Dimensional Electron Gas in HEMT structure using Monte Carlo Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2次元電子ガス / Two-dimensional electron gas |
| キーワード(2)（和/英） | self-consistency / self-consistency |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo simulation |
| キーワード(5)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深田 孝司 / T. Fukada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士総合研究所解析技術第1部 Computational Engineering I, Fuji Research Institute Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷野 憲之 / N. Tanino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectric and Microwave Devices Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 仲里 昌明 / M. Nakazato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士総合研究所解析技術第1部 Computational Engineering I, Fuji Research Institute Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神山 泰治 / Y. Kohyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士総合研究所解析技術第2部 Computational Engineering II, Fuji Research Institute Corporation |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | VLD97-59,ED97-97,SDM97-118,ICD97-134 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |