| 講演名 | 1997/9/25 フローティングボディ型SOI MOSFETにおける正孔引き抜き機構のシミュレーション評価 野瀬 浩一, 池野 理門, 浅田 邦博, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 完全空乏型SOI MOSFETの基盤浮遊効果を抑制するために, ソース・ドレイン領域にAr イオンを注入する方法が提案されている. 本研究では, Arを注入したSOI MOSFETにおけるボディからソースへ正孔を引き抜くメカニズムを2次元デバイスシミュレータで検討した. その結果, Arを注入した領域の再結合が高まる影響だけでなく, Si格子の中にArが入り込むことで格子が広げられ, バンド幅が狭まってしまうという影響も考慮に入れる必要があることが分かった. |
| 抄録(英) | In order to suppress the floating-body effect of fully-depleted SOI MOSFET's, a method by implantation of ionized Ar in source/drain region has been proposed. In this study, we investigated the mechanism of promoting the flow of the excess holes in body to source region in Ar-implanted SOI MOSFET using 2-D device simulation. From this simulation, we conclude that it is necessary to introduce not only the effect where recombination rate is enhanced in Ar-implanted region but also the effect where bandgap is narrowed in the Ar-implanted region with extended lattice by Ar in the center of Si-lattice. |
| キーワード(和) | SOI MOSFET / 基盤浮遊効果 / Arイオン注入 / 2次元デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | SOI MOSFET / Floating-body effect / implantation of ionized Ar / 2-D device simulation |
| 資料番号 | VLD97-57,ED97-95,SDM97-116,ICD97-132 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
|---|---|
| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フローティングボディ型SOI MOSFETにおける正孔引き抜き機構のシミュレーション評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation Study on Extraction Mechanism of Generated Holes in the Floating-body SOI MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI MOSFET / SOI MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 基盤浮遊効果 / Floating-body effect |
| キーワード(3)（和/英） | Arイオン注入 / implantation of ionized Ar |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元デバイスシミュレーション / 2-D device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野瀬 浩一 / Kouichi NOSE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池野 理門 / Rimon IKENO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科:(現)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター Graduate School of Engineering, University of Tokyo:(Present adress)Texas Instruments Tsukuba R&D Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅田 邦博 / Kunihiro ASADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科:(現)東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Graduate School of Engineering, University of Tokyo:(Present adress)VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | VLD97-57,ED97-95,SDM97-116,ICD97-132 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |