| 講演名 | 1997/9/25 低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較 高宮 真, 安田 有里, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング法を開発し, ディープサブ0.1μmへのスケーリングシナリオを示した. これに基づく完全空乏型SOI MOSFETのデバイス構造を提案した. 更に2次元デバイスシミュレーションによりBulk MOSFETとの比較を行った. その結果, 完全空乏型SOI MOSFETはBulk MOSFETとは異なりゲート酸化膜を薄膜化しなくてもSOIのみを薄膜化することにより急峻なS係数の劣化やVthばらつきの増大なしにBulk MOSFETより更に微細化できることを明らかにした. 極微細完全空乏型SOI MOSFETは, 低寄生容量や急峻なS係数等の本来のメリットと微細化のメリットを合わせ持つためLSIの超低消費電力化を実現する. |
| 抄録(英) | We have developed the scaling methodology for FD SOI MOSFETs for very low power applications and shown a scaling scenario to the deep sub-0.1μm regime. Based on the methodology, we have proposed device structures of ultra thin FD SOI MOSFETs. We compared FD SOI MOSFETs with bulk MOSFETs by the 2D device simulation and shown that, unlike bulk MOSFETs, FD SOI MOSFETs will be miniaturized further by thinning SOI thickness without degrading the steep subthreshold slope and increasing Vth fluctuations, even if the gate oxide thickness is not scaled. Ultra small FD SOI MOSFETs will realize ultra low power LSIs, because of the steep subthreshold swing, low parasitic capacitances, and the miniaturization. |
| キーワード(和) | 低消費電力 / 完全空乏型SOI MOSFET / S係数 / スケーリング / 短チャネル効果 / Vthばらつき / Bulk MOSFETとの比較 |
| キーワード(英) | Low Power / Fully-Depleted SOI MOSFET / Subthreshold Swing / Scaling / Short Channel Effect / Vth Fluctuation / Comparison with Bulk MOSFET's |
| 資料番号 | VLD97-56,ED97-94,SDM97-115,ICD97-131 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scaling Methodology for Low Power Fully Depleted SOI MOSFET's and Comparison with Bulk MOSFET's |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低消費電力 / Low Power |
| キーワード(2)（和/英） | 完全空乏型SOI MOSFET / Fully-Depleted SOI MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | S係数 / Subthreshold Swing |
| キーワード(4)（和/英） | スケーリング / Scaling |
| キーワード(5)（和/英） | 短チャネル効果 / Short Channel Effect |
| キーワード(6)（和/英） | Vthばらつき / Vth Fluctuation |
| キーワード(7)（和/英） | Bulk MOSFETとの比較 / Comparison with Bulk MOSFET's |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高宮 真 / Makoto Takamiya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安田 有里 / Yuri Yasuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Institute of Industrial Science, University of Tokyo:VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | VLD97-56,ED97-94,SDM97-115,ICD97-131 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |