| 講演名 | 1997/9/25 TCADを構成するプロセスシミュレータの開発期間短縮手法の提案 : 標準ライブラリの開発とそれを用いた汎用プロセスシミュレータ 中村 光利, 中内 孝浩, 福田 寿一, 楠 直樹, 金村 貴永, 福田 早苗, |
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| 抄録(和) | 微細半導体素子の開発期間の短縮が叫ばれており, TCADに対してソフト開発効率の向上が強く求められている. 我々は, 各シミュレータで共通な部分を可能な限り独立させた標準ライブラリを9つ開発し, ソフト開発効率を向上させる事にした. 本報告では主にその標準ライブラリの中で最も重要な形状・メッシュに関連するライブラリについて述べる. そのライブラリは, 形状・メッシュの表現方法として新たに考案したDouble Winged Edgeデータ構造を用いており, そのデータ構造を操作する関数と, 丸め誤差や桁落ちに対する対策を十分に行った形状認識関数を有している. このライブラリによって形状・メッシュを操作する機能開発が非常に容易になった. |
| 抄録(英) | TCAD has been expected to become a useful tool for minimizing a period of device development, and faster development of simulator is strongly demanded to fulfill the expectation. We have developed standard software libraries first, and then constructed a process simulator using these libraries as its parts. These libraries make it possible to shorten the development period. In this paper, We mainly describe about a geometry library which is one of the most important in process simulator. |
| キーワード(和) | プロセス / シミュレーション / ソフト開発 / 図形 |
| キーワード(英) | process / simulation / software development / geometry |
| 資料番号 | VLD97-55,ED97-93,SDM97-114,ICD97-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCADを構成するプロセスシミュレータの開発期間短縮手法の提案 : 標準ライブラリの開発とそれを用いた汎用プロセスシミュレータ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Minimization Scheme for a period of Process Simulator Development in TCAD : Development of Simulation Standard Libraries and an Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プロセス / process |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(3)（和/英） | ソフト開発 / software development |
| キーワード(4)（和/英） | 図形 / geometry |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 光利 / Mitsutoshi Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中内 孝浩 / Takahiro Nakauchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所:(株)東芝半導体設計・評価技術センター Microelectronics Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation:Semiconductor DA & Test Engineering Center, TOSHIBA Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福田 寿一 / Toshikazu Fukuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所:(株)東芝半導体設計・評価技術センター Microelectronics Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation:Semiconductor DA & Test Engineering Center, TOSHIBA Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 楠 直樹 / Naoki Kusunoki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金村 貴永 / Takahisa Kanemura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福田 早苗 / Sanae Fukuda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | VLD97-55,ED97-93,SDM97-114,ICD97-130 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |