| 講演名 | 1997/9/25 TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化 三浦 規之, 福田 浩一, 西 謙二, |
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| 抄録(和) | 素子の微細化とともにチャネル不純物分布やドレイン構造が複雑になり, デバイス特性間のトレードオフが厳しくなるために, 複数の目標特性を同時に満足する製造プロセス条件を求めることがますます難しくなってきている. 一方で, 開発コストの削減のために, シミュレーションを用いて製造条件の最適化を短期間で行なうことが求められている. 我々はプロセス・デバイスシミュレータと応答曲面モデル(RSM)を用いた自動パラメータ最適化システムによって, 半導体製造プロセス条件の最適化を行ない, 0.3μmレベルMOSFETデバイス電気特性間のトレードオフを評価した. |
| 抄録(英) | In scaled-down process, channel profile and drain structure have become so complecated that it would be difficult to optimize process sequences via real experiments alone. It is consequently important to optimize process sequences with TCAD simulators for shorter development cycles and lower fabrication costs. We present a developed methodology which can optimize process sequences and evaluate the device performance trade-offs in 0.3μm level MOSFETs with TCAD simulators and responce surface models(RSM). |
| キーワード(和) | 応答曲面モデル / ローカルモデリング / パラメータ最適化 / 感度解析 / 統計解析 |
| キーワード(英) | Response Surface Model / Local Modeling / Parameter Optimization / Sensitivity Analysis / Statistic Analysis |
| 資料番号 | VLD97-54,ED97-92,SDM97-113,ICD97-129 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | IC Process Optimization Using Technology CAD System |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 応答曲面モデル / Response Surface Model |
| キーワード(2)（和/英） | ローカルモデリング / Local Modeling |
| キーワード(3)（和/英） | パラメータ最適化 / Parameter Optimization |
| キーワード(4)（和/英） | 感度解析 / Sensitivity Analysis |
| キーワード(5)（和/英） | 統計解析 / Statistic Analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三浦 規之 / N. Miura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社超LSI研究開発センタ VLSI Reserch & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 浩一 / K. Fukuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社超LSI研究開発センタ VLSI Reserch & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西 謙二 / K. Nishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社超LSI研究開発センタ VLSI Reserch & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | VLD97-54,ED97-92,SDM97-113,ICD97-129 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |