講演名 1997/9/25
TCADを用いたMOSFETの感度・統計解析
執行 直之, 森下 哲至, 菅原 謙一, 脇田 直樹, 朝日 良典,
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抄録(和) 素子の微細化に伴いプロセスばらつきによるLSIの歩留りの低下が問題になっている. このため, 感度・統計解析によるロバストなプロセス/デバイス/回路設計が求められている. 本稿では, Technology CAD(TCAD)を用いたMOSFETの感度・統計解析について述べる. プロセスばらつきに基づき, 回路モデルBSIM3v3のワーストケース・モデルを作成した.
抄録(英) The statistical process fluctuations limit the parametric yield. Thus, the statistical simulation is needed for a robust design of process, device and circuit. This article describes the statistical simulation of MOSFTTs using Technology CAD (TCAD). We obtained BSIM3v3 worst-case models based on process fluctuations.
キーワード(和) TCAD / 感度・統計解析 / BSIM3v3 / ワーストケース・モデル / pdFab
キーワード(英) TCAD / sensitivity analysis / statistical analysis / BSIM3v3 / worst-case model / pdFab
資料番号 VLD97-53,ED97-91,SDM97-112,ICD97-128
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 1997/9/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) TCADを用いたMOSFETの感度・統計解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) TCAD Based Statistical Analysis of MOSFET's
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) TCAD / TCAD
キーワード(2)(和/英) 感度・統計解析 / sensitivity analysis
キーワード(3)(和/英) BSIM3v3 / statistical analysis
キーワード(4)(和/英) ワーストケース・モデル / BSIM3v3
キーワード(5)(和/英) pdFab / worst-case model
第 1 著者 氏名(和/英) 執行 直之 / N. Shigyou
第 1 著者 所属(和/英) (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 森下 哲至 / T. Morishita
第 2 著者 所属(和/英) 東芝CAEシステムズ(株)
Toshiba CAE Systems Incorporated
第 3 著者 氏名(和/英) 菅原 謙一 / K. Sugawara
第 3 著者 所属(和/英) (株)東芝半導体事業本部
Semiconductor Division, Toshiba Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 脇田 直樹 / N. Wakita
第 4 著者 所属(和/英) (株)東芝半導体設計・評価技術センター
Semiconductor DA & Test Center, Toshiba Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 朝日 良典 / Y. Asahi
第 5 著者 所属(和/英) (株)東芝半導体事業本部
Semiconductor Division, Toshiba Corporation
発表年月日 1997/9/25
資料番号 VLD97-53,ED97-91,SDM97-112,ICD97-128
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 268
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日