講演名 1997/9/25
TCADの課題と今後の研究の方法
小谷 教彦,
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抄録(和) LSI開発の効率化のために, TCADが積極的に使用されてきた. しかし, TCAD技術は単なる効率化ツール以上の戦略的重要性を持っている. 半導体デバイスやプロセスが理解できなければ, TCADの開発はもとより, 使いこなすことも不十分なレベルに留まってしまう. この点の認識が不十分なままTCAD活用を進めると, かえって本質的技術が空洞化する危険性を含んでいる. LSIの競争力を養うための一つの方法として, TCAD技術の高度化を通して他との差別化を図る必要がある. しかし, TCAD技術は必要とする要素技術が極めて多岐にわたるため, 協力する部分と競争する部分を峻別した開発手段を採用する必要がある.
抄録(英) TCAD has been used for the LSI development as a tool of cost reduction and QTAT. But TCAD has an importance not only as a tool but also as a strategic meaning. If engineers do not really understand the physics of the semiconductor devices and processes, they can not develop the TCAD system and may remain insufficient level even in the usage of TCAD. Without the recognition described above, the real technology will decay in LSI makers during the promotion of TCAD usage. On the contrary it is necessary for LSI makers to develop the TCAD technology in order to obtain the ability of competition and to build up the technical identity. However it needs the very wide area of technologies to develop the TCAD system, we should apply a method of development in which we strictly distinguish between collaboration and competition.
キーワード(和) TCAD / シミュレーション / モデリング / プロセスシミュレータ / デバイスシミュレータ / 回路シミュレータ / 装置シミュレータ
キーワード(英) TCAD / simulation / modeling / process simulator / device simulator / circuit simulator / equipment simulator
資料番号 VLD97-52,ED97-90,SDM97-111,ICD97-127
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 1997/9/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) TCADの課題と今後の研究の方法
サブタイトル(和)
タイトル(英) The essence of TCAD and the scheme for its research
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) TCAD / TCAD
キーワード(2)(和/英) シミュレーション / simulation
キーワード(3)(和/英) モデリング / modeling
キーワード(4)(和/英) プロセスシミュレータ / process simulator
キーワード(5)(和/英) デバイスシミュレータ / device simulator
キーワード(6)(和/英) 回路シミュレータ / circuit simulator
キーワード(7)(和/英) 装置シミュレータ / equipment simulator
第 1 著者 氏名(和/英) 小谷 教彦 / Norihiko KOTANI
第 1 著者 所属(和/英) (株)半導体先端テクノロジーズ
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
発表年月日 1997/9/25
資料番号 VLD97-52,ED97-90,SDM97-111,ICD97-127
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 268
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日