| 講演名 | 1997/9/25 格子依存性を緩和した反転層移動度モデル 遠田 利之, 執行 直之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | MOSFETのトレイン電流を高精度に計算するためには, 反転層移動度を正しく取り扱う必要がある. このための反転層移動度モデルがWattやShinにより提案されている. ところが, これらのモデルには, 格子間隔に依存して計算結果が大きく変化するという問題がある. 本報告では, Shinのモデルの格子依存性の原因を述べる. 更に, 格子間隔に依らず高精度にドレイン電流を計算できる反転層移動度モデルについて述べる. このモデルは各コントロールボリュームに対して実効的な反転層移動度を与える. |
| 抄録(英) | It is indispensable for accurate drain current simuulation to deal with riversion layer carrier mobility reasonably. However, it has been found that the model of the inversion layer carrier mobility proposed by Watt or Shin have strong grid size dependency. In this paper, the authors clear the cause of the grid size dependency of the Shin's model, and describe the inversion layer carrier mobility model independent on grid sizes. This model gives the effective carrier mobility for each control volumes. |
| キーワード(和) | デバイスシミュレーション / 反転層 / 移動度 / 格子依存性 / モデル / 精度 |
| キーワード(英) | Device simulation / Inversion layer / Mobility / Grid size dependency / Model / Accuracy |
| 資料番号 | VLD97-49,ED97-87,SDM97-108,ICD97-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
|---|---|
| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 格子依存性を緩和した反転層移動度モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Grid Size Independent Inversion Layer Carrier Mobility Model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 反転層 / Inversion layer |
| キーワード(3)（和/英） | 移動度 / Mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 格子依存性 / Grid size dependency |
| キーワード(5)（和/英） | モデル / Model |
| キーワード(6)（和/英） | 精度 / Accuracy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠田 利之 / Toshiyuki Enda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 執行 直之 / Naoyuki Shigyo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝デバイス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | VLD97-49,ED97-87,SDM97-108,ICD97-124 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |