| 講演名 | 1997/9/25 nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化 田中 琢爾, 山口 清一郎, 金田 博幸, 後藤 広志, |
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| 抄録(和) | 我々は, nMOSFETの反転層移動度のための局所電界モデルに基づく新しいモデルを提案し, 実効垂直電界(E⊥eff)依存性の計算精度を向上させた. 従来の局所電界モデル(Lombardiモデル等)は, 高電界領域での強いE⊥eff依存性が再現できない等, ユニバーサル曲線の精度が中高電界領域で不十分である. 今回, 局所的移動度を決める局所電界の項の指数を経験的に与える, という手法による新しいモデルにより, 実効垂直電界の広い領域にわたりユニバーサル曲線の精度を向上させることに成功した. この手法で精度向上を実現できたのは, 移動度対垂直電界の関係において局所値と実効値の相互の関係が単純でないという事実に起因している. |
| 抄録(英) | We propose a new model for the inversion layer mobility of nMOSFET based on the local field model which gives more accurate dependence of the mobility on effective normal electric field. Conventional local field models (e.g.Lombardi et al.) cannot precisely reproduce the universal curve in the middle and high field regions. In order to overcome this problem, we have empirically changed index numbers of a local normal field in a Mattiessen-rule like equation. Our model gives us an accurate universal curve in the wide range of the field, since the model effectively includes complex relation between local and effective mobility-field relations. |
| キーワード(和) | MOSFET / 反転層移動度 / 実効垂直電界 / ユニバーサル曲線 / 局所電界モデル / デバイス・シミュレーション |
| キーワード(英) | MOSFET / inversion layer mobility / effective normal electric field / universal curve / local field model / device simulation |
| 資料番号 | VLD97-48,ED97-86,SDM97-107,ICD97-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Accurate modeling of nMOSFET inversion layer mobility by an empirical method for local field model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 反転層移動度 / inversion layer mobility |
| キーワード(3)（和/英） | 実効垂直電界 / effective normal electric field |
| キーワード(4)（和/英） | ユニバーサル曲線 / universal curve |
| キーワード(5)（和/英） | 局所電界モデル / local field model |
| キーワード(6)（和/英） | デバイス・シミュレーション / device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 琢爾 / Takuji TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部 Fujitsu Ltd., Advanced Process Integration Dept. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山口 清一郎 / Seiichiro YAMAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部 Fujitsu Ltd., Advanced Process Integration Dept. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金田 博幸 / Hiroyuki KANATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所(株)ULSIプロセス研究部 Fujitsu Laboratories Ltd., ULSI Process Lab. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 後藤 広志 / Hiroshi GOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部 Fujitsu Ltd., Advanced Process Integration Dept. |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | VLD97-48,ED97-86,SDM97-107,ICD97-123 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |