| 講演名 | 1997/9/25 有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入 杉安 統行, 鈴木 腕, 小島 修一, 大山 泰, 後藤 広志, |
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| 抄録(和) | 不純物イオン注入後の過渡増速拡散を解く方法として, カップル法とデカップル法を組み合わせた解法を提案する. 本解法においては, ボロン存在下で電荷中性条件式を計算する際に, 格子間Siと不純物-格子間Si対の濃度の和, 空孔と不純物-空孔対の濃度の和, 各化学的不純物濃度がそれぞれ不変となるように工夫することで, 収束性の改善を図った. また, 本解法を有限要素法による汎用2次元プロセスシミュレータFFEASTに導入し, サブクォーターミクロンnMOSFETの過渡増速拡散の解析に有効であることを示した. |
| 抄録(英) | We have proposed a coupled and de-coupled combined method to solve the PDE for a transient enhanced diffusion model. In the case of a boron diffusion process, the sum of interstitial Si and impurity-interstitial pair concentration, the sum of vacancy and impurity-vacancy pair concentration, and each chemivcal impurity concentration are kept constant and the charge neutrality law is applied. This procedure has realized a robust solution system which is implemented to the FEM-based 2-D process simulator FFEAST, and transient enhanced diffusion simulation for a sub-quarter micron nMOSFET has been demonstrated. |
| キーワード(和) | プロセスシミュレーション / 過渡増速拡散 / 解析法 |
| キーワード(英) | Peocess Simulation / Transient Enhanced Diffusion / Solution |
| 資料番号 | VLD97-47,ED97-85,SDM97-106,ICD97-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Implementation of Transient Enhanced Diffusion Model into the FEM-based 2-D Process Simulator FFEAST |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プロセスシミュレーション / Peocess Simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 過渡増速拡散 / Transient Enhanced Diffusion |
| キーワード(3)（和/英） | 解析法 / Solution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉安 統行 / N. Sugiyasu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社デバイス開発部 Technblogy Development Divion, Fujitsu Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 腕 / K. Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社デバイス開発部 Technblogy Development Divion, Fujitsu Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小島 修一 / S. Kojima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社デバイス開発部 Technblogy Development Divion, Fujitsu Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大山 泰 / Y. Ohyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社デバイス開発部 Technblogy Development Divion, Fujitsu Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 後藤 広志 / H. Goto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社デバイス開発部 Technblogy Development Divion, Fujitsu Limited |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | VLD97-47,ED97-85,SDM97-106,ICD97-122 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |