講演名 1997/9/25
過渡的増速拡散のシミュレーション
植松 真司,
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抄録(和) 過渡的増速拡散について, Si格子間原子クラスターの時間変化を考慮した統一的なシミュレーションを示す. モデルではクラスターに起因する複雑な現象から本質的な要素を抽出し, 物理的意味を持つ4個のパラメータによって, クラスターの時間変化を記述する. このクラスターの時間変化と不純物拡散モデルとを組み合わせ, 過渡的増速拡散のアニール時間, イオン注入種, ドーズ, エネルギー, アニール温度依存性の統一的なシミュレーションを行なう.
抄録(英) The dependence of transient enhanced diffusion (TED) on annealing time, implantation dose, energy, species, and annealing temperature have been simulated using a unified set of parameters. The kinetics of cluster evolution is combined with the mechanism of impurity diffusion, and the decrease in the cluster evolution rate with time is taken into account. The simulation explains complex characteristics of TED, which are attributed to the fact that the dependence of implantation species, energy, dose, and annealing time are closely related to one another.
キーワード(和) 過渡的増速拡散 / シミュレーション / シリコン / Si格子間原子クラスター
キーワード(英) transient enhanced diffusion / simulation / silicon / self-interstitial clusters
資料番号 VLD97-46,ED97-84,SDM97-105,ICD97-121
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 1997/9/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 過渡的増速拡散のシミュレーション
サブタイトル(和)
タイトル(英) Simulation of transient enhanced diffusion
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 過渡的増速拡散 / transient enhanced diffusion
キーワード(2)(和/英) シミュレーション / simulation
キーワード(3)(和/英) シリコン / silicon
キーワード(4)(和/英) Si格子間原子クラスター / self-interstitial clusters
第 1 著者 氏名(和/英) 植松 真司 / Masashi UEMATSU
第 1 著者 所属(和/英) NTTシステムエレクトロニクス研究所
NTT System Electronics Laboratories
発表年月日 1997/9/25
資料番号 VLD97-46,ED97-84,SDM97-105,ICD97-121
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 268
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日