| 講演名 | 1996/9/26 表面拡散モデルを含むアルミスパッタ形状シミュレーションシステムの開発 山田 裕明, 金子 浩勝, 山田 義明, 太田 敏行, |
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| 抄録(和) | アルミニウムのスパッタ装置シミュレーションシステムを開発した。このシステムはモンテカルロ法を用いた軌道計算部と、表面拡散計算部と、粒子の入射判定方法を改善した軌道計算部より成り立っている。このシステムを用いて計算した結果は、実測形状と良く一致し、形状計算は、130MIPSのEWSで約20分であり、実用レベルであることが分かった。またアルミニウムの形状計算には表面拡散モデルが不可欠であることが分かった。更に、表面拡散は300℃では、バルクの拡散係数より約百万倍大きいことがわかった。 |
| 抄録(英) | We have developed a practical aluminum sputter system which is composed of a trajectory calculation module using Monte Carlo(MC) method, a surface diffusion module, and a deposition profile module. In the system, the string model is utilized as the common data structure for simplifying interface. The surface diffusion model is found indispensable for aluminum. The adjusted surface diffusion coefficient with the activation energy of 12.4(kJ/mole) is found about one million times as large as the bulk at 573K. |
| キーワード(和) | アルミスパッタ / シミュレーション / 表面拡散 / 形状 |
| キーワード(英) | Aluminum sputter / Simulation / Surface diffusion / Profile |
| 資料番号 | VLD96-34,ED96-80,SDM96-90 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 1996/9/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面拡散モデルを含むアルミスパッタ形状シミュレーションシステムの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Aluminum sputter profile simulation including surface diffusion model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アルミスパッタ / Aluminum sputter |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / Simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 表面拡散 / Surface diffusion |
| キーワード(4)（和/英） | 形状 / Profile |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 裕明 / Hiroaki Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金子 浩勝 / Hirokatsu Kaneko |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 義明 / Yoshiaki Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 太田 敏行 / Toshiyuki Ohta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1996/9/26 |
| 資料番号 | VLD96-34,ED96-80,SDM96-90 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 258 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |