講演名 | 1997/3/7 VLSIの高密度バス配線における低結合信号を用いた低消費電力化 三堂 哲寿, 池田 誠, 浅田 邦博, |
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抄録(和) | 近年の集積回路の変遷は大規模化、高密度化の一途をたどっている。これに伴い細長いバス配線が及ぼす集積回路システムの性能への影響は拡大し、チップ全体の性能を左右する要因となってきている。本研究では、バスデータでの電力消費要因として従来から考えられているデータ遷移時の対地容量の充放電に加え、線間の結合容量の充放電を考慮してバス配線の性能を評価し、配線が近接してくる際の問題点を指摘した。また、バス状態の時間的遷移に加え空間的遷移を最適化するために、ビット遷移検出型符号化手法を提案し、この手法の実現方法とその効果についての評価を行った。 |
抄録(英) | Importance of power dissipation and delay of bus lines is increasing in realizing high-performance VLSI circuits, as the feature size is miniaturized down to the deep submicron region. In this paper, we take into account the charge of mutual capacitance as well as charge of self capacitance in evaluating the power dissipation in VLSI bus lines. And by using conventional method, we found that the larger the mutual capacitance become, the lower the advantage of the method become. We propose a new bus data coding method for decreasing the signal transitions in space as well as in time. Along with a low coupled signal method, we demonstrate from 10% to 20% reduction of the total effective transitions in mutual capacitance. |
キーワード(和) | 集積回路 / バス配線 / 対地容量 / 配線間容量 / 低結合信号 |
キーワード(英) | VLSI / Bus Lines / Self-Capacitance / Mutual Capacitance / Low Coupled Signal |
資料番号 | VLD96-108,ICD96-218 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 1997/3/7(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | VLSIの高密度バス配線における低結合信号を用いた低消費電力化 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Bus Data Coding with Low Coupled Signal for Low Power VLSI |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 集積回路 / VLSI |
キーワード(2)(和/英) | バス配線 / Bus Lines |
キーワード(3)(和/英) | 対地容量 / Self-Capacitance |
キーワード(4)(和/英) | 配線間容量 / Mutual Capacitance |
キーワード(5)(和/英) | 低結合信号 / Low Coupled Signal |
第 1 著者 氏名(和/英) | 三堂 哲寿 / T. Mido |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学工学系研究科電子工学専攻(VDEC) Department of Electronic Engineering,(VDEC) University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 池田 誠 / M. Ikeda |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学工学系研究科電子工学専攻(VDEC) Department of Electronic Engineering,(VDEC) University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 浅田 邦博 / K. Asada |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学工学系研究科電子工学専攻(VDEC) Department of Electronic Engineering,(VDEC) University of Tokyo |
発表年月日 | 1997/3/7 |
資料番号 | VLD96-108,ICD96-218 |
巻番号(vol) | vol.96 |
号番号(no) | 556 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |