| 講演名 | 2001/6/22 宇宙用高性能太陽電池の開発状況 : NASDAにおける取り組み 今泉 充, 安沢 修, 松田 純夫, |
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| 抄録(和) | 地上用として開発されたInGaP/InGaAs/Ge3接合構造超高効率III-V族半導体太陽電池に対し, その技術を宇宙用に応用するための指針を得る目的で, その耐放射線性を検討した. その結果, 最も放射線損傷の影響が表れるのはInGaAs中間太陽電池であり, これに最も損傷を与える100keV台のエネルギーを有する陽子線およびこれと等価のエネルギーを有する電子線に対する耐放射線性を向上させることが, 3接合太陽電池全体の耐放射線性の改善に有効であることを見出した. さらに, InGaAs中間太陽電池について, In組成比が小さい方が寿命末期における電力出力に関して有利であることを明らかにした. |
| 抄録(英) | Irradiation test on InGaP/InGaAs/Ge triple junction solar cell developed for terrestrial use has been carried out in order to obtain guidelines to modify the cell for space use. The results indicate that the InGaAs middle cell is most damageable among the three sub cells, and protons with energy of a few 100 keV are foung to apply greatest damage to the middle cell. It is suggested that designing radiation tolerant middle cell is effective way to improve radiation hardness of the triple junction cell. In the case of InGaAs middle cell, increasing In content is confirmed to bencficial to improve maximum output power at the end of life. |
| キーワード(和) | 太陽電池 / 3接合 / 宇宙 / 高効率 / 耐放射線性 / 劣化 |
| キーワード(英) | solar cell / triple junction / space / high efficiency / radiation hardness / degradation |
| 資料番号 | SANE2001-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SANE |
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| 開催期間 | 2001/6/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Space, Aeronautical and Navigational Electronics (SANE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 宇宙用高性能太陽電池の開発状況 : NASDAにおける取り組み |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Status of Development of High Performance Space Solar Cells : R&D activity at NASDA |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| キーワード(2)（和/英） | 3接合 / triple junction |
| キーワード(3)（和/英） | 宇宙 / space |
| キーワード(4)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | 耐放射線性 / radiation hardness |
| キーワード(6)（和/英） | 劣化 / degradation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今泉 充 / Mitsuru Imaizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 宇宙開発事業団技術研究本部技術研究部 Office of R&D, National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安沢 修 / Osamu Anzawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 宇宙開発事業団技術研究本部技術研究部 Office of R&D, National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 純夫 / Sumio Matsuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 宇宙開発事業団技術研究本部技術研究部 Office of R&D, National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 発表年月日 | 2001/6/22 |
| 資料番号 | SANE2001-22 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |