| 講演名 | 1998/11/20 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性 西山 伸彦, 水谷 章成, 羽鳥 伸明, 品田 聡, 荒井 昌和, 小山 二三夫, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 面発光レーザの偏波制御を目的としてGaAs(311)B基板上面発光レーザを製作した.その面発光レーザを用いて, 擬似ランダム信号による高速変調実験を行い, 2.5Gbits/sの変調時にも偏波面のゆらぎによる誤り率の大きな劣化は認められないことを明らかにした.また, 10Gbits/s変調時にも直交偏波抑圧比25dB以上を確認した.次に活性領域をさらに縮小し横モードを単一化したデバイスを製作し, 35dB以上の横モード抑圧比, 25dB以上の直交偏波抑圧比を持つ完全単一モード面発光レーザをはじめて実現した.このデバイスによる5GHzの正弦波変調実験を行い, 高速変調時においても35dBの横モード抑圧比と11dBの直交偏波抑圧比を持つことを確認して, 本技術の有用性を示した. |
| 抄録(英) | We have fabricated a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) on GaAs (311) B substrate for the purpose polarization control. Using this VCSEL, we measured high-speed modulation characteristics and polarization stability. We have observed no power penalty due to polarization instability under 2.5 Gbits/s. The orthogonal polarization suppression ratio of over 25 dB was obtained under 10 Gbits/s. Next, we have fabricated a smaller oxide aperture of 2.7 μm x 2.9 μm VCSEL and demonstrated single-mode and stable polarization operation for the first time. We have achieved the side mode suppression ratio of 35 dB and orthogonal polarization suppression ratio of 11 dB under 5 GHz sinusoidal modulation using single-mode and stable polarization lasing. |
| キーワード(和) | 面発光レーザ / 偏波制御 / GaAs(311)B / 高速変調 |
| キーワード(英) | VCSELs / Polarization control / GaAs(311)B / High-speed modulation |
| 資料番号 | OCS98-75,ED98-166,OPE98-107,LQE98-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 1998/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization Characteristics of Surface Emitting Laser Grown on (311)B Substrates under High Speed Modulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光レーザ / VCSELs |
| キーワード(2)（和/英） | 偏波制御 / Polarization control |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs(311)B / GaAs(311)B |
| キーワード(4)（和/英） | 高速変調 / High-speed modulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / N. Nishiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水谷 章成 / A. Mizutani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 羽鳥 伸明 / N. Hatori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 品田 聡 / S. Shinada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒井 昌和 / M. Arai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / F. Koyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / K. Iga |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/11/20 |
| 資料番号 | OCS98-75,ED98-166,OPE98-107,LQE98-106 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |