| 講演名 | 1998/11/20 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術 山根 康朗, 深井 佳乃, 榎木 孝知, 北林 博人, 楳田 洋太郎, 石井 康信, |
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| 抄録(和) | InP HEMTを用いて40Gbit/s光伝送用ICを実現するための素子設計技術、製造技術に関して述べる。まず、回路の遅延時間とFETの等価回路定数を結びつける解析式を用いて40Gbit/s動作に必要な素子性能を明らかにする。次にこの目標値を実現する素子製造技術について述べる。集積回路製作に必要な素子特性のばらつきの抑止策につても述べる。最後に実現したICの性能、熱的安定性についてもふれる。 |
| 抄録(英) | Device design and fabrication technology for 40 Gbit/s optical communication systems using InP HEMT technology are sdescribed in this report. The demand to the FET performance for 40 Gbit/s IC operation is clarified by applying analytical expression which combine FET characteristics and IC delay time. And, the fabrication technology which enables us to make a FET whose performance satisfys the above mentioned condition for 40 Gbit/s IC operation., will be presented. And the uniformity of FET characteristics is improved by applying InP etch stopper and EB-lithography. At last, the fabricated IC prformance and thermal stability are reported. |
| キーワード(和) | InP / InGaAs / InAlAs / 集積回路 / HEMT / EB-lithography |
| キーワード(英) | InP / InGaAs / InAlAs / IC / HEMT / EB-lithography |
| 資料番号 | OCS98-68,ED98-159,OPE98-100,LQE98-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 1998/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A InP HEMT Technology for 40 Gbit/s Optical Communications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| キーワード(4)（和/英） | 集積回路 / IC |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | EB-lithography / EB-lithography |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山根 康朗 / Yasuro Yamane |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深井 佳乃 / Yoshino Fukai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 北林 博人 / Hiroto Kitabayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 楳田 洋太郎 / Yohtaro Umeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石井 康信 / Yasunobu Ishii |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1998/11/20 |
| 資料番号 | OCS98-68,ED98-159,OPE98-100,LQE98-99 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |